利盈娱乐(中国)创新平台有限公司

金属-氧(yang)化物半(ban)(ban)导体(ti)场效(xiao)应(ying)晶(jing)(jing)体(ti)管，简称(cheng)(cheng)金氧(yang)半(ban)(ban)场效(xiao)晶(jing)(jing)体(ti)管（Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor,MOSFET）是一(yi)种(zhong)可(ke)以(yi)广(guang)泛使用在模拟电路(lu)与(yu)数(shu)字电路(lu)的场效(xiao)晶(jing)(jing)体(ti)管（field-effecttransistor）。MOSFET依(yi)照(zhao)其“通道”（工作载流子）的极性不(bu)同，可(ke)分为“N型(xing)”与(yu)“P型(xing)”的两(liang)种(zhong)类(lei)型(xing)，通常又称(cheng)(cheng)为NMOSFET与(yu)PMOSFET，其他简称(cheng)(cheng)尚包括NMOS、PMOS等。

（1）用测电阻法区分结型场效应管的电极对VMOSV沟道增强型场(chang)效(xiao)应管(guan)(guan)丈量跨导(dao)性(xing)能时，可(ke)用(yong)红表笔接源极(ji)S、黑表笔接漏极(ji)D，这就持平于在源、漏极(ji)之间加(jia)了一个反(fan)向电(dian)压。此刻栅(zha)极(ji)是开路(lu)的(de)(de)(de)，管(guan)(guan)的(de)(de)(de)反(fan)向电(dian)阻(zu)(zu)(zu)值(zhi)是很不(bu)稳(wen)定的(de)(de)(de)。将万用(yong)表的(de)(de)(de)欧姆档选在R×10kΩ的(de)(de)(de)高(gao)(gao)阻(zu)(zu)(zu)档，此刻表内电(dian)压较(jiao)高(gao)(gao)。当用(yong)手(shou)触(chu)摸栅(zha)极(ji)G时，会发现管(guan)(guan)的(de)(de)(de)反(fan)向电(dian)阻(zu)(zu)(zu)值(zhi)有明显地改变，其改变越大，阐明管(guan)(guan)的(de)(de)(de)跨导(dao)值(zhi)越高(gao)(gao)；假设被测管(guan)(guan)的(de)(de)(de)跨导(dao)很小，用(yong)此法测时，反(fan)向阻(zu)(zu)(zu)值(zhi)改变不(bu)大。

（2）用测(ce)反(fan)向电(dian)(dian)阻(zu)值(zhi)的(de)(de)(de)(de)改变断(duan)(duan)(duan)(duan)定跨导的(de)(de)(de)(de)巨细当断(duan)(duan)(duan)(duan)定了(le)漏(lou)极(ji)(ji)D、源(yuan)(yuan)极(ji)(ji)S的(de)(de)(de)(de)方位后，按D、S的(de)(de)(de)(de)对(dui)应方位装人(ren)电(dian)(dian)路，通常(chang)G1、G2也(ye)会顺次(ci)对(dui)准方位，这就断(duan)(duan)(duan)(duan)定了(le)两(liang)个栅(zha)极(ji)(ji)G1、G2的(de)(de)(de)(de)方位，从而就断(duan)(duan)(duan)(duan)定了(le)D、S、G1、G2管脚(jiao)的(de)(de)(de)(de)次(ci)序。 用这种办(ban)法(fa)(fa)区分出(chu)来的(de)(de)(de)(de)S、D极(ji)(ji)，还能够用估(gu)测(ce)其管的(de)(de)(de)(de)扩(kuo)大才能的(de)(de)(de)(de)办(ban)法(fa)(fa)进(jin)行(xing)验证，即扩(kuo)大才能大的(de)(de)(de)(de)黑(hei)表笔(bi)(bi)所(suo)接的(de)(de)(de)(de)是(shi)D极(ji)(ji)；红表笔(bi)(bi)所(suo)接地是(shi)8极(ji)(ji)，两(liang)种办(ban)法(fa)(fa)检(jian)查结果均应相同。 首(shou)要用丈量电(dian)(dian)阻(zu)的(de)(de)(de)(de)办(ban)法(fa)(fa)找出(chu)两(liang)个有电(dian)(dian)阻(zu)值(zhi)的(de)(de)(de)(de)管脚(jiao)，也(ye)等于源(yuan)(yuan)极(ji)(ji)S和漏(lou)极(ji)(ji)D，余下两(liang)个脚(jiao)为榜首(shou)栅(zha)极(ji)(ji)G1和第二栅(zha)极(ji)(ji)G2。把先用两(liang)表笔(bi)(bi)测(ce)的(de)(de)(de)(de)源(yuan)(yuan)极(ji)(ji)S与(yu)漏(lou)极(ji)(ji)D之间的(de)(de)(de)(de)电(dian)(dian)阻(zu)值(zhi)记下来，对(dui)调(diao)表笔(bi)(bi)再丈量一次(ci)，把其测(ce)得电(dian)(dian)阻(zu)值(zhi)记下来，两(liang)次(ci)测(ce)得阻(zu)值(zhi)较大的(de)(de)(de)(de)一次(ci)，黑(hei)表笔(bi)(bi)所(suo)接的(de)(de)(de)(de)电(dian)(dian)极(ji)(ji)为漏(lou)极(ji)(ji)D；红表笔(bi)(bi)所(suo)接的(de)(de)(de)(de)为源(yuan)(yuan)极(ji)(ji)S。

（3）用(yong)(yong)(yong)测(ce)(ce)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)法(fa)(fa)区分无象征的(de)场效(xiao)(xiao)应(ying)(ying)(ying)(ying)管运用(yong)(yong)(yong)这(zhei)种办法(fa)(fa)时要阐明(ming)几点：首要，在(zai)测(ce)(ce)验(yan)场效(xiao)(xiao)应(ying)(ying)(ying)(ying)管用(yong)(yong)(yong)手捏(nie)住栅(zha)极(ji)(ji)时，万用(yong)(yong)(yong)表(biao)针(zhen)(zhen)(zhen)也许(xu)向右(you)摇(yao)(yao)(yao)摆(bai)(bai)（电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)值减(jian)小(xiao)），也也许(xu)向左(zuo)摇(yao)(yao)(yao)摆(bai)(bai)（电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)值添加）。这(zhei)是(shi)因为(wei)人(ren)(ren)体感应(ying)(ying)(ying)(ying)的(de)沟通(tong)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)压较(jiao)高(gao)，而(er)不一(yi)(yi)样的(de)场效(xiao)(xiao)应(ying)(ying)(ying)(ying)管用(yong)(yong)(yong)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)档测(ce)(ce)量(liang)时的(de)作业点也许(xu)不一(yi)(yi)样（或许(xu)作业在(zai)饱和区或许(xu)在(zai)不饱和区）所形成的(de)，实(shi)验(yan)标明(ming)，大都管的(de)RDS增大，即表(biao)针(zhen)(zhen)(zhen)向左(zuo)摇(yao)(yao)(yao)摆(bai)(bai)；少数管的(de)RDS减(jian)小(xiao)，使(shi)表(biao)针(zhen)(zhen)(zhen)向右(you)摇(yao)(yao)(yao)摆(bai)(bai)。但不论表(biao)针(zhen)(zhen)(zhen)摇(yao)(yao)(yao)摆(bai)(bai)方向怎么，只需表(biao)针(zhen)(zhen)(zhen)摇(yao)(yao)(yao)摆(bai)(bai)起(qi)伏较(jiao)大，就(jiu)阐明(ming)管有(you)较(jiao)大的(de)扩大才能。第(di)二，此(ci)办法(fa)(fa)对MOS场效(xiao)(xiao)应(ying)(ying)(ying)(ying)管也合用(yong)(yong)(yong)。但要留心，MOS场效(xiao)(xiao)应(ying)(ying)(ying)(ying)管的(de)输人(ren)(ren)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)高(gao)，栅(zha)极(ji)(ji)G容许(xu)的(de)感应(ying)(ying)(ying)(ying)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)压不应(ying)(ying)(ying)(ying)过高(gao)，所以不要直接用(yong)(yong)(yong)手去(qu)捏(nie)栅(zha)极(ji)(ji)，必需用(yong)(yong)(yong)于握螺丝刀的(de)绝缘柄，用(yong)(yong)(yong)金属(shu)杆(gan)去(qu)碰触(chu)栅(zha)极(ji)(ji)，以防止人(ren)(ren)体感应(ying)(ying)(ying)(ying)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)荷直接加到栅(zha)极(ji)(ji)，引(yin)起(qi)栅(zha)极(ji)(ji)击穿。第(di)三，每(mei)次测(ce)(ce)量(liang)结(jie)(jie)束(shu)，应(ying)(ying)(ying)(ying)当G-S极(ji)(ji)间(jian)短(duan)路(lu)一(yi)(yi)下。这(zhei)是(shi)因为(wei)G-S结(jie)(jie)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)容上会充有(you)少数电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)荷，建(jian)立(li)起(qi)VGS电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)压，形成再进(jin)行(xing)测(ce)(ce)量(liang)时表(biao)针(zhen)(zhen)(zhen)也许(xu)不动(dong)，只要将G-S极(ji)(ji)间(jian)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)荷短(duan)路(lu)放掉(diao)才行(xing)。

依(yi)据上述办(ban)法(fa)，用(yong)万用(yong)表的(de)R×100档，测结型场效应(ying)管(guan)3DJ2F。先将管(guan)的(de)Ｇ极(ji)开路，测得(de)漏源电阻(zu)RDS为(wei)600Ω，用(yong)手捏住G极(ji)后，表针向左摇摆，指示(shi)的(de)电阻(zu)RDS为(wei)12kΩ，表针摇摆的(de)起伏较(jiao)大，阐明该管(guan)是好(hao)的(de)，并有较(jiao)大的(de)扩大才能(neng)。

具体办(ban)法：用万用表(biao)(biao)电(dian)(dian)阻的R×100档(dang)，红表(biao)(biao)笔接(jie)源(yuan)极(ji)(ji)(ji)S，黑表(biao)(biao)笔接(jie)漏极(ji)(ji)(ji)D，给(ji)场效应管(guan)加上1.5Ｖ的电(dian)(dian)源(yuan)电(dian)(dian)压，此刻表(biao)(biao)针指示(shi)出的漏源(yuan)极(ji)(ji)(ji)间的电(dian)(dian)阻值。然后(hou)用手(shou)捏住结型场效应管(guan)的栅极(ji)(ji)(ji)G，将人体的感应电(dian)(dian)压信号加到栅极(ji)(ji)(ji)上。这样，因为管(guan)的扩大(da)效果，漏源(yuan)电(dian)(dian)压VDS和(he)漏极(ji)(ji)(ji)电(dian)(dian)流(liu)Iｂ都(dou)要发生改(gai)(gai)变，也即是漏源(yuan)极(ji)(ji)(ji)间电(dian)(dian)阻发生了(le)改(gai)(gai)变，由(you)此能(neng)够观(guan)察(cha)到表(biao)(biao)针有(you)较大(da)起伏的摇(yao)(yao)摆(bai)(bai)。假设手(shou)捏栅极(ji)(ji)(ji)表(biao)(biao)针摇(yao)(yao)摆(bai)(bai)较小，阐(chan)明(ming)管(guan)的扩大(da)才能(neng)较差；表(biao)(biao)针摇(yao)(yao)摆(bai)(bai)较大(da)，标明(ming)管(guan)的扩大(da)才能(neng)大(da)；若(ruo)表(biao)(biao)针不动，阐(chan)明(ming)管(guan)是坏(huai)的。

（4）用(yong)感应信号(hao)输人法(fa)(fa)(fa)估测场效应管(guan)(guan)(guan)的(de)(de)(de)扩大才能(neng)详(xiang)细办法(fa)(fa)(fa)：首(shou)要(yao)将(jiang)万(wan)用(yong)表置(zhi)(zhi)于Ｒ×10或Ｒ×100档(dang)(dang)，丈量(liang)源(yuan)极(ji)(ji)(ji)(ji)S与(yu)(yu)漏极(ji)(ji)(ji)(ji)D之(zhi)间(jian)的(de)(de)(de)电(dian)阻(zu)(zu)(zu)，通(tong)常(chang)在(zai)几十欧到几千欧规模（在(zai)手册中可知，各(ge)种不一样型(xing)号(hao)的(de)(de)(de)管(guan)(guan)(guan)，其(qi)电(dian)阻(zu)(zu)(zu)值(zhi)(zhi)(zhi)是(shi)(shi)各(ge)不相同的(de)(de)(de)），假设(she)测得阻(zu)(zu)(zu)值(zhi)(zhi)(zhi)大于正常(chang)值(zhi)(zhi)(zhi)，也(ye)许(xu)是(shi)(shi)由于内(nei)部触摸(mo)不良；假设(she)测得阻(zu)(zu)(zu)值(zhi)(zhi)(zhi)是(shi)(shi)无(wu)穷大，也(ye)许(xu)是(shi)(shi)内(nei)部断极(ji)(ji)(ji)(ji)。要(yao)留心，若(ruo)两个栅(zha)(zha)(zha)极(ji)(ji)(ji)(ji)在(zai)管(guan)(guan)(guan)内(nei)断极(ji)(ji)(ji)(ji)，可用(yong)元件代换法(fa)(fa)(fa)进(jin)行检查(cha)。 测电(dian)阻(zu)(zu)(zu)法(fa)(fa)(fa)是(shi)(shi)用(yong)万(wan)用(yong)表丈量(liang)场效应管(guan)(guan)(guan)的(de)(de)(de)源(yuan)极(ji)(ji)(ji)(ji)与(yu)(yu)漏极(ji)(ji)(ji)(ji)、栅(zha)(zha)(zha)极(ji)(ji)(ji)(ji)与(yu)(yu)源(yuan)极(ji)(ji)(ji)(ji)、栅(zha)(zha)(zha)极(ji)(ji)(ji)(ji)与(yu)(yu)漏极(ji)(ji)(ji)(ji)、栅(zha)(zha)(zha)极(ji)(ji)(ji)(ji)G1与(yu)(yu)栅(zha)(zha)(zha)极(ji)(ji)(ji)(ji)G2之(zhi)间(jian)的(de)(de)(de)电(dian)阻(zu)(zu)(zu)值(zhi)(zhi)(zhi)同场效应管(guan)(guan)(guan)手册标明的(de)(de)(de)电(dian)阻(zu)(zu)(zu)值(zhi)(zhi)(zhi)是(shi)(shi)不是(shi)(shi)相符去(qu)区分管(guan)(guan)(guan)的(de)(de)(de)好坏(huai)。 。然后把万(wan)用(yong)表置(zhi)(zhi)于R×10ｋ档(dang)(dang)，再测栅(zha)(zha)(zha)极(ji)(ji)(ji)(ji)G1与(yu)(yu)G2之(zhi)间(jian)、栅(zha)(zha)(zha)极(ji)(ji)(ji)(ji)与(yu)(yu)源(yuan)极(ji)(ji)(ji)(ji)、栅(zha)(zha)(zha)极(ji)(ji)(ji)(ji)与(yu)(yu)漏极(ji)(ji)(ji)(ji)之(zhi)间(jian)的(de)(de)(de)电(dian)阻(zu)(zu)(zu)值(zhi)(zhi)(zhi)，当测得其(qi)各(ge)项电(dian)阻(zu)(zu)(zu)值(zhi)(zhi)(zhi)均(jun)为(wei)无(wu)穷大，则阐(chan)明管(guan)(guan)(guan)是(shi)(shi)正常(chang)的(de)(de)(de)；若(ruo)测得上述各(ge)阻(zu)(zu)(zu)值(zhi)(zhi)(zhi)太(tai)小或为(wei)通(tong)路(lu)，则阐(chan)明管(guan)(guan)(guan)是(shi)(shi)坏(huai)的(de)(de)(de)。

（5）用测电阻法区分场(chang)效应管(guan)的好坏详细办法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。若两次测出的电阻值均很大，阐明是PN结的反向，即都是反向电阻，能够判别是N沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，阐明是正向PN结，即是正向电阻，判别为P沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。当出现两次测得的电阻值近似持平时，则黑表笔所触摸的电极为栅极(ji)，其他两(liang)电(dian)(dian)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)分(fen)(fen)别为漏(lou)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)和(he)源(yuan)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)。若不(bu)出(chu)(chu)(chu)现上述(shu)情况，能(neng)(neng)够(gou)互(hu)换黑、红表笔(bi)按上述(shu)办法进(jin)行(xing)测(ce)验，直到区分(fen)(fen)出(chu)(chu)(chu)栅极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)休止。 当某两(liang)个(ge)(ge)电(dian)(dian)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)的(de)正、反向(xiang)电(dian)(dian)阻值(zhi)持(chi)平，且为几千(qian)欧姆时，则(ze)该两(liang)个(ge)(ge)电(dian)(dian)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)分(fen)(fen)别是漏(lou)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)D和(he)源(yuan)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)S。由于(yu)对结型场效(xiao)应(ying)管而言，漏(lou)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)和(he)源(yuan)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)可交换，剩余的(de)电(dian)(dian)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)肯定是栅极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)Ｇ。依据场效(xiao)应(ying)管的(de)PN结正、反向(xiang)电(dian)(dian)阻值(zhi)不(bu)相同的(de)景象，能(neng)(neng)够(gou)区分(fen)(fen)出(chu)(chu)(chu)结型场效(xiao)应(ying)管的(de)三个(ge)(ge)电(dian)(dian)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)。也能(neng)(neng)够(gou)将万用表的(de)黑表笔(bi)（红表笔(bi)也行(xing)）恣(zi)意触摸(mo)一(yi)个(ge)(ge)电(dian)(dian)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)，另一(yi)只表笔(bi)顺次去触摸(mo)其他的(de)两(liang)个(ge)(ge)电(dian)(dian)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)，测(ce)其电(dian)(dian)阻值(zhi)。

联系方式：邹先(xian)生

手机(ji)：18123972950

QQ：2880195519

联系地址：深圳市福田区车(che)公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1

关(guan)注KIA半(ban)导体(ti)工程专辑(ji)请搜微信号(hao):“KIA半(ban)导体(ti)”或点击本文下(xia)方图片扫一(yi)扫进入官方微信“关(guan)注”

长按二维码(ma)识(shi)别关(guan)注