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MOS英文全称为(wei)金属-氧化(hua)物-半(ban)(ban)导体(ti)，描写了(le)集成电路中的(de)构(gou)造，即(ji)：在(zai)必然(ran)构(gou)造的(de)半(ban)(ban)导体(ti)器材上(shang)，加上(shang)二氧化(hua)硅和金属，构(gou)成栅极。这兩种型态的(de)构(gou)造没有太(tai)大的(de)差(cha)異，仅(jin)仅(jin)耗尽型MOS一开(kai)始在(zai)Drain-Source的(de)通道上(shang)就(jiu)有载子，所以(yi)即(ji)便在(zai)VGS为(wei)零的(de)情况下，

供应应设计者一种高(gao)速度、高(gao)功率、高(gao)电(dian)压(ya)、与高(gao)增益的元(yuan)件。有些场效应管的源极和漏极能(neng)够交(jiao)流运用，栅压(ya)也可正可负，灵活(huo)性比(bi)晶(jing)体管好。

能(neng)在(zai)很小(xiao)电流和(he)很低电压的(de)条件下功课，而(er)且它(ta)的(de)制造技能(neng)能(neng)够很方便地把许多场(chang)(chang)效应(ying)管集成在(zai)一块(kuai)硅片(pian)上，因而(er)场(chang)(chang)效应(ying)管在(zai)大(da)规模集成电路中得到了广(guang)泛的(de)运(yun)用。它(ta)作用特(te)征(zheng):开(kai)关(guan)速(su)度快、高频任性能(neng)好，输(shu)入(ru)阻抗(kang)高、驱(qu)动功率小(xiao)、热稳定性优异(yi)、无二次击(ji)穿(chuan)标(biao)题(ti)、全(quan)功课区宽、功课线性度高等(deng)等(deng)，其(qi)最(zui)主要的(de)利益就是能(neng)够减少(shao)体积巨细与(yu)分量，

MOS又(you)分为(wei)兩种，一种为(wei)耗尽(jin)型(xing)（DepletionMOS），另(ling)一种为(wei)增强型(xing)（EnhancementMOS）。

耗尽型MOS仍(reng)能够导通的(de)。 MOS管(guan)的(de)source和drain是(shi)能够对(dui)调的(de)，都是(shi)在P型backgate中(zhong)构成的(de)N型区。

MOS管(guan)，即在集(ji)成电(dian)路中绝缘性场效应管(guan)。

由于(yu)场效应管拓展器(qi)的(de)输入(ru)阻(zu)抗(kang)很(hen)高，因而(er)耦合电(dian)(dian)容能够容量较小，不必运用电(dian)(dian)解电(dian)(dian)容器(qi)。在各類中(zhong)小功率开关(guan)电(dian)(dian)路(lu)中(zhong)运用极为广泛，能够用作可变电(dian)(dian)阻(zu)也可运用于(yu)拓展。

且MOS场效应管很高的(de)输入(ru)阻抗十分(fen)适协作阻抗变换(huan)。能够方便地用作恒流源也能够用作电子开(kai)关。常(chang)用于(yu)多级(ji)拓(tuo)展(zhan)器的(de)输入(ru)级(ji)作阻抗变换(huan)。而增强型MOS则必须在(zai)其(qi)VGS大於某一特(te)定值(zhi)才调导通(tong)。

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