集射极间电压
信(xin)息(xi)来源：本站 日期(qi)：2017-05-15
射(she)极开(kai)路的(de)时分，集(ji)射(she)极间能够承(cheng)受(shou)的(de)最(zui)大(da)电(dian)(dian)压(ya) 。它是器件的(de)最(zui)小(xiao)额定电(dian)(dian)压(ya)。假设基射(she)极间的(de)电(dian)(dian)阻很小(xiao) （ 50 lOO!l） ，那(nei)么(me)在(zai)关断状态下晶体管能够承(cheng)受(shou)一个(ge)更高(gao)的(de)电(dian)(dian)压(ya)。
反(fan)向偏置(zhi)安全(quan)工(gong)作区(qu)域(yu)。在(zai)关断期(qi)间(jian)，le-Vee曲线不能(neng)(neng)越过(guo)给出的(de)边(bian)境。就算是一次越界也可(ke)能(neng)(neng)损坏晶(jing)体(ti)(ti)管(guan)(guan)，由于电流会集中在(zai)芯片的(de)某个小(xiao)部分 ，招(zhao)致局(ju)部过(guo)热 。若在(zai)关断瞬(shun) 间(jian)加上］～5V的(de)反(fan)偏电压，可(ke)工(gong)作在(zai)边(bian)境以内。若关断时 Vbe=O ，则晶(jing)体(ti)(ti)管(guan)(guan)只能(neng)(neng)工(gong)作在(zai)区(qu)域(yu)内 .能(neng)(neng)同时满足高、低(di)卢(lu)值(zhi)的(de)晶(jing)体(ti)(ti)管(guan)(guan)工(gong)作恳(ken)求的(de)设计方案产品的(de)卢(lu)值(zhi)的(de)离散性(xing)很(hen)大，可(ke)能(neng)(neng)相差4倍(bei)之(zhi)多(duo)。假设基(ji)极(ji)电流可(ke)以较(jiao)好(hao)的(de)驱(qu)动卢(lu)值(zhi)低(di)的(de)晶(jing)体(ti)(ti)管(guan)(guan)，那么它(ta)将对F值(zhi)高的(de)晶(jing)体(ti)(ti)管(guan)(guan)构成很(hen)强(qiang)的(de)过(guo)驱(qu)动 ，招(zhao)致过(guo)长的(de)储存(cun)时间(jian) 。假设要缩短过(guo) 长的(de)储存(cun)时间(jian) ，需(xu)求的(de)反(fan)向基(ji)极(ji)电流就会相当大 。
联系方式：邹先生(sheng)
手机(ji)：18123972950
QQ：2880195519
联系地址：深圳市福田(tian)区车(che)公庙(miao)天(tian)安(an)数码城天(tian)吉大厦CD座5C1
关注KIA半导(dao)体(ti)工(gong)程专辑请搜微(wei)信(xin)号:“KIA半导(dao)体(ti)”或点击本文下方图(tu)片扫一扫进(jin)入(ru)官方微(wei)信(xin)“关注”
长(zhang)按二维码识别关注
