MOS管参数大全
信息来(lai)源：本站 日期：2017-04-27
Mosfet参数意义阐明 Features:
Pd: 最大耗(hao)散功(gong)率
Tj: 最(zui)大作业结温，通常为150度和175度
Tstg: 最大存储温度
Idm: 最(zui)大(da)脉冲(chong)DS电流.会随温度(du)的增加而下(xia)降，表现一个抗(kang)冲(chong)击(ji)才华(hua)，跟脉冲(chong)时刻也有联络
Iar: 雪(xue)崩电流
Ear: 重复雪崩击穿(chuan)能量
BVdss： DS击穿(chuan)电(dian)压 Idss: 丰满DS电(dian)流(liu)，uA级的(de)电(dian)流(liu) Eas: 单次脉冲雪崩击穿(chuan)能量 Igss: GS驱(qu)动(dong)电(dian)流(liu)，nA级的(de)电(dian)流(liu).
Eas: 单(dan)次脉冲雪(xue)崩击穿能量
gfs: 跨导 Qg: G总充电电量
Qgs: GS充电(dian)电(dian)量(liang)
Eas: 单次脉冲雪崩(beng)击穿能(neng)量
Qgd: GD充电(dian)电(dian)量(liang)
Td(on): 导通推迟时刻，从有输入电压(ya)上升到10%开始到Vds下降到其幅值90%的时刻
Ciss: 输(shu)入电容，Ciss=Cgd + Cgs.
Tf: 下降时刻(ke)，输出电(dian)压(ya) VDS 从 10% 上(shang)升到(dao)其幅(fu)值(zhi) 90% 的时刻(ke)
Coss: 输出电容，Coss=Cds +Cgd. Crss: 反向传输电容，Crss=Cgc.
联系方式：邹先生
手(shou)机(ji)：18123972950
QQ：2880195519
联系地址：深圳市福田区车公庙天(tian)安(an)数码城天(tian)吉(ji)大厦CD座5C1
关(guan)注KIA半导体工(gong)程专辑请搜微信(xin)号:“KIA半导体”或点击本文(wen)下(xia)方图片扫一(yi)扫进入官方微信(xin)“关(guan)注”
长按二(er)维(wei)码识别关(guan)注
