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交错正激变换器拓扑基本工作原理 、优缺陷和输出功率限制这种拓扑只是两个相同的单端正激变换器交替工作 （ 各占半个周期） ，其次级电流电子器件经过 整流碳化硅二极管相加 。其拓扑(pu)如(ru)图 2.14 所(suo)(suo)示。这种拓扑(pu)的(de)(de)(de)优(you)点是(shi)每(mei)周(zhou)期有(you)两(liang)(liang)个(ge)功率脉冲 ，如(ru)图 2.14 所(suo)(suo)示，且每(mei)个(ge)变(bian)换器(qi)只提(ti)供总(zong)输(shu)出(chu)(chu) 功率的(de)(de)(de)一(yi)半 。式 C 2.28 ） 给(ji)出(chu)(chu)了(le)MOS开(kai)(kai)(kai)关电(dian)(dian)(dian)源效平顶电(dian)(dian)(dian)流(liu)幅值 ／pft = 3.13P,,J 2飞 ，某中凡 为总(zong)输(shu)出(chu)(chu)功率 。 开(kai)(kai)(kai)关管电(dian)(dian)(dian)流(liu)是(shi)获得相同总(zong)输(shu)出(chu)(chu)功率的(de)(de)(de)单(dan)个(ge)单(dan)端正(zheng)激(ji)变(bian)换器(qi)的(de)(de)(de)一(yi)半 。因此，两(liang)(liang)个(ge)开(kai)(kai)(kai)关管的(de)(de)(de)费(fei)用 因每(mei)个(ge)开(kai)(kai)(kai)关管额定(ding)峰值电(dian)(dian)(dian)流(liu)较低而相互抵消了(le) ，或许(xu)价钱比(bi)两(liang)(liang)倍额定(ding)电(dian)(dian)(dian)流(liu)的(de)(de)(de)单(dan)个(ge)开(kai)(kai)(kai)关管更低 。

或从另一角度看 ，若这两个额定电流相同的MOS开关电源 ，其电(dian)流幅(fu)值与(yu)给定输(shu)出(chu)(chu)功(gong)(gong)率单端变(bian)(bian) 换(huan)(huan)器(qi)开(kai)(kai)关(guan)管(guan)(guan)的(de)(de)(de)相(xiang)(xiang)同(tong) ，则交(jiao)错变(bian)(bian)换(huan)(huan)器(qi)可(ke)(ke)提供的(de)(de)(de)输(shu)出(chu)(chu)功(gong)(gong)率是(shi)该单端变(bian)(bian)换(huan)(huan)器(qi)输(shu)出(chu)(chu)功(gong)(gong)率的(de)(de)(de)两倍(bei) 。另外，EMI 强度与(yu)电(dian)流幅(fu)值成比(bi)(bi)例 ，而不是(shi)非与(yu)电(dian)流脉(mai)冲数量成比(bi)(bi)例 。相(xiang)(xiang)同(tong)总(zong)输(shu)出(chu)(chu)功(gong)(gong)率 下，交(jiao)错变(bian)(bian)换(huan)(huan)器(qi)产(chan)生(sheng)的(de)(de)(de) EMI 比(bi)(bi)单个正(zheng)激变(bian)(bian)换(huan)(huan)器(qi)产(chan)生(sheng)的(de)(de)(de) EMI 小。相(xiang)(xiang)同(tong)输(shu)出(chu)(chu)功(gong)(gong)率下 ，每(mei)个变(bian)(bian)压(ya)(ya)器(qi)都比(bi)(bi)正(zheng)激变(bian)(bian)换(huan)(huan)器(qi)的(de)(de)(de)小 。但(dan)两个加在一同(tong)很可(ke)(ke)能(neng)比(bi)(bi)单个变(bian)(bian)压(ya)(ya) 器(qi)占用的(de)(de)(de)空间(jian)大且花费的(de)(de)(de)本钱(qian)高 。固然有这(zhei)样那样的(de)(de)(de)优缺(que)陷(xian) ，交(jiao)错正(zheng)激变(bian)(bian)换(huan)(huan)器(qi)的(de)(de)(de)主(zhu)要优点还(hai)是(shi)同(tong)样的(de)(de)(de)开(kai)(kai)关(guan)管(guan)(guan)电(dian)流幅(fu)值下可(ke)(ke) 提供单个正(zheng)激变(bian)(bian)换(huan)(huan)器(qi)两倍(bei)的(de)(de)(de)输(shu)出(chu)(chu)功(gong)(gong)率 。相(xiang)(xiang)比(bi)(bi)起来 ，推挽拓扑(pu)可(ke)(ke)能(neng)更(geng)杳优越性 。固然都是(shi)双开(kai)(kai)关(guan)管(guan)(guan)电(dian)路 ，但(dan)交(jiao)错正(zheng)撤变(bian)(bian)换(huan)(huan)器(qi)的(de)(de)(de)两 个变(bian)(bian)压(ya)(ya)器(qi)可(ke)(ke)能(neng)比(bi)(bi)推挽拓扑(pu)的(de)(de)(de)一个大变(bian)(bian)压(ya)(ya)器(qi)更(geng)昂贵 ，占用的(de)(de)(de)空间(jian)更(geng)多(duo)。

不过至今仍不很肯定 ， 在输入和负载失常的 瞬态情况下 ，推挽拓扑的磁通不平衡问题能否完好能处置 。没有磁通不平衡问题可能是运用交错正激变换器的最好理由 。 在较少见的直流输出电压超越 200V   的场所，同样的输出功率下 ，选用交错正激变换器比选用单个正激变换器更合理 。单个正激变换器输出续流二极管（ D5A 或 D5B ） 承受的反向 电压峰值为交错正激变换器的两倍 。
这是由于它的占 空比只需后者的 1/20输出电压低时 占空比小没奋什么 问题，见式 （ 2.25 ） 。变压器次级臣数选择准绳 （ 关于单 端正激变换器） 是，直流输入最小即次级电压幅值最低时 ，产生所需输出电压的占空比汇 0 IT不超越 0.4。当直流输出为 200V 时，续流二极管承受的反向电压峰值为 500Vo 开关管导通 瞬间，续流二极管己流过很大的正向电流 ，又将突然承受反压 。假设该二极管反向恢复时间 长，短时内 500V   的反向电压就会惹起很大的反向电流 ，可能会损坏二极管 。通常，二极管额定反向电压越大 ，反向恢复时间越长 ，这种情况下 ，问题就很严重了。 关于 200V 直流输出 ，交错正激变换器运转在两倍占 空比，续流二极管反压仅为(wei) 250V 。运用

低压、恢复快的二极管 ，可(ke)大大降低其损(sun)耗 。

图 2.14 交错正激变换器 。QI 和 Q2 每半周期交替导通(tong) ，次(ci)级输(shu)出(chu)相加(jia)使(shi) 每周期有两个功率脉冲 ，且避免了推挽拓扑的磁通(tong)不平衡问(wen)题

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