CMOS噪声(sheng)余量是由输(shu)出振幅的最(zui)小(xiao)值与输(shu)入(ru)信号最(zui)小(xiao)必要的振幅之差来做(zuo)定义(yi)
信(xin)息来源：本站 日期：2017-08-29
噪声余量
大数IC的噪声余量由输(shu)出振幅的最(zui)小值(zhi)与输(shu)入信号(hao)(hao)最(zui)小必(bi)要的振幅之(zhi)差来定义。这个差值(zhi)越(yue)大，关于(yu)由电源/GND线或由信号(hao)(hao)线产生(sheng)的突发噪声来说(shuo)，越(yue)不容(rong)易惹起误动(dong)作。
作为规范逻辑IC，与目前运用较多的双极型TTL相比拟，CMOS具有更宽的噪声余量。图10.13示出CMOS反相器与TTL的输入-输出传输特性。CMOS特性的降落肩特性峻峭，电路阈值电压大致位于VDD的1/2处。输出振幅能够在整个VDD～GND的范围摆动。由于CMOS可以在整个VDD～GND范围取输出，就可以以小的输入振幅工作。能够看出，与TTL相比，CMOS的噪声余量优势很大。
图(tu)10. 14示出CMOS与(yu)TTL的噪(zao)声余(yu)量的比拟。由(you)于CMOS的抗噪(zao)声才能强，所(suo)以(yi)在高(gao)(gao)质量信(xin)号传输、高(gao)(gao)牢靠性系统等范(fan)畴应用很普遍。
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