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MOS管主要参数如下：
1.开启电压VT-开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开端构成导电沟道所需的栅极电压；-规范的N沟道(dao)MOS管，VT约为(wei)3～6V；-经(jing)过工艺上(shang)的改良，能(neng)够(gou)使(shi)MOS管的VT值(zhi)降到2～3V。

 2. 直流(liu)输入(ru)电(dian)阻RGS-即在(zai)栅源极之(zhi)间(jian)加的电(dian)压(ya)与栅极电(dian)流(liu)之(zhi)比-这(zhei)一特性(xing)有时以流(liu)过栅极的栅流(liu)表示-MOS管的RGS能(neng)够很容易地超越1010Ω。

3. 栅源击穿(chuan)电(dian)(dian)压BVGS-在增(zeng)(zeng)加栅源电(dian)(dian)压过程中，使栅极电(dian)(dian)流(liu)IG由零开端剧(ju)增(zeng)(zeng)时的VGS，称为栅源击穿(chuan)电(dian)(dian)压BVGS。

4. 漏源击穿电压BVDS-在VGS=0（加强型）的条件下 ，在增加漏源电压过程中使ID开端剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS-ID剧增的缘由有下列两个方面：
（1）漏极左近耗尽(jin)层的雪崩击穿(chuan)

（2）漏(lou)源(yuan)极间的穿(chuan)(chuan)通击穿(chuan)(chuan)-有些MOS管(guan)中(zhong)，其沟道长度较短，不(bu)时增加VDS会使(shi)漏(lou)区(qu)的耗尽(jin)层(ceng)不(bu)断扩展到源(yuan)区(qu)，使(shi)沟道长度为零，即产生漏(lou)源(yuan)间的穿(chuan)(chuan)通，穿(chuan)(chuan)通后(hou)，源(yuan)区(qu)中(zhong)的多数载流子，将直承(cheng)受耗尽(jin)层(ceng)电场的吸收，抵达漏(lou)区(qu)，产生大的ID

5. 低(di)频跨导(dao)gm-在(zai)VDS为某一固定数值的(de)(de)条(tiao)件下 ，漏(lou)极(ji)电流的(de)(de)微(wei)变(bian)量(liang)和惹起这个变(bian)化的(de)(de)栅源电压微(wei)变(bian)量(liang)之比称为跨导(dao)-gm反映了栅源电压对漏(lou)极(ji)电流的(de)(de)控制才(cai)能-是表征MOS管(guan)放大才(cai)能的(de)(de)一个重要(yao)参数-普通在(zai)非常之几至几mA/V的(de)(de)范围内(nei)

6. 极间(jian)(jian)电容(rong)-三个电极之(zhi)间(jian)(jian)都存在着极间(jian)(jian)电容(rong)：栅源(yuan)电容(rong)CGS 、栅漏电容(rong)CGD和漏源(yuan)电容(rong)CDS-CGS和CGD约(yue)为1～3pF-CDS约(yue)在0.1～1pF之(zhi)间(jian)(jian)

7. 导通电阻RON-导通电阻RON阐明了VDS对ID的(de)(de)(de)影响 ，是漏极(ji)特性某一点切(qie)线的(de)(de)(de)斜率的(de)(de)(de)倒数(shu)-在(zai)饱和区，ID简直(zhi)不随VDS改动，RON的(de)(de)(de)数(shu)值(zhi)很大，普(pu)通在(zai)几(ji)十千欧(ou)到几(ji)百(bai)千欧(ou)之间-由于(yu)在(zai)数(shu)字电路(lu)中 ，MOS管导通时经常工作在(zai)VDS=0的(de)(de)(de)状态下，所以这(zhei)时的(de)(de)(de)导通电阻RON可(ke)用原点的(de)(de)(de)RON来近似(si)-对普(pu)通的(de)(de)(de)MOS管而言，RON的(de)(de)(de)数(shu)值(zhi)在(zai)几(ji)百(bai)欧(ou)以内

8. 低频噪声系数NF-噪声是由管子内部载流子运动的不规则性所惹起的-由于它的存在，就使一个放大器即使在没有信号输人时，在输出端也呈现不规则的电压或电流变化-噪声性能的大小通常用噪声系数NF来表示，它的单位为分贝（dB）-这个数值越小，代表管子所产生的噪声越小-低频噪声系数是在低频范围内测出的噪声系数-场效应管的噪声系数约为几个分贝，它比双极性三极管的要小.

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