VMOS的串联

串联(SeriesConnection)是为理解决电压规格不够的问题，与VMOS的并联相似，我们这里所说的电压规格不够用，指的是即使是采用多管电路拓扑也难以满足需求时，如全桥、三相全桥等电路拓扑。与VMOS并联稍有不同的是，多电平变换应该优先于多管（模块）的串联应用。

在买践(jian)应用(yong)上，串(chuan)联(lian)与(yu)并联(lian)一样会明(ming)显(xian)降(jiang)低功率开(kai)关的(de)外关速度，使之适用(yong)的(de)工作频率明(ming)显(xian)降(jiang)低，以致于降(jiang)低到(dao)IGBT也可以足以顺应的(de)程(cheng)度；同时高(gao)电压(ya)规格的(de)VMOS的(de)饱和压(ya)降(jiang)会明(ming)显(xian)升高(gao)，高(gao)于1000V时曾经与(yu)IGBT相差无几，到(dao)2000V左右时，IGBT在本身功耗方面曾经有了优势。

因(yin)而(er)，在工程应(ying)(ying)用上(shang)(shang)，VMOS的(de)(de)串联应(ying)(ying)用并(bing)不多见，需求更(geng)高的(de)(de)电(dian)压(ya)规(gui)格时，1GBT更(geng)有优势，目前的(de)(de)单管(guan)产品，VMOS产品适用的(de)(de)最高电(dian)压(ya)根(gen)本上(shang)(shang)还彷徨在1000V左(zuo)右，而(er)IGBT产品适用的(de)(de)最高电(dian)压(ya)规(gui)格，单管(guan)曾(ceng)经到达了2500～3300V，模块产品曾(ceng)经到达了4500一6500V的(de)(de)程度。

除非是(shi)必(bi)需(xu)(xu)采用(yong)VMOS，同(tong)时(shi)又必(bi)需(xu)(xu)采用(yong)很高电源电压(ya)时(shi)，才会用(yong)到(dao)VMOS的(de)(de)串联，即使遇到(dao)这样的(de)(de)问题，串联也并不是(shi)首(shou)选(xuan)的(de)(de)计(ji)划，特别是(shi)用(yong)于工业化产品，首(shou)选(xuan)的(de)(de)计(ji)划应该是(shi)寻觅替代计(ji)划，如(ru)采用(yong)IGBT、基于VMOS的(de)(de)多电平变换等等。

万不得(de)已(yi)采用(yong)VMOS串联时，首要(yao)的问(wen)题(ti)是(shi)驱动的隔离(li)(li)，除了(le)信号通道需求隔离(li)(li)外(wai)，电源也需求隔离(li)(li)。

其次(ci)是均压(ya)，与(yu)VMOS并联时(shi)的(de)均流相似，均压(ya)是为(wei)(wei)了(le)(le)让(rang)串(chuan)(chuan)联的(de)每一个(ge)功(gong)率(lv)(lv)开(kai)关接受近似相等的(de)电(dian)压(ya)，假如误差比拟大，就需求(qiu)增(zeng)加(jia)(jia)串(chuan)(chuan)联的(de)功(gong)率(lv)(lv)开(kai)关的(de)数(shu)量，增(zeng)大电(dian)压(ya)耐(nai)受量的(de)裕量。换言之，两个(ge)1000V电(dian)压(ya)规格(ge)(ge)的(de)VMOS串(chuan)(chuan)联，理(li)论上能够(gou)(gou)视为(wei)(wei)2000V电(dian)压(ya)规格(ge)(ge)的(de)VMOS，为(wei)(wei)了(le)(le)保险(xian)起(qi)见，我们(men)(men)能够(gou)(gou)将其电(dian)压(ya)规格(ge)(ge)定为(wei)(wei)isoov以至更(geng)低。这样做的(de)弊端是，串(chuan)(chuan)联功(gong)率(lv)(lv)开(kai)关的(de)本身功(gong)耗将明(ming)显增(zeng)加(jia)(jia)，缘由(you)是我们(men)(men)为(wei)(wei)了(le)(le)取得2000V电(dian)压(ya)规格(ge)(ge)的(de)功(gong)率(lv)(lv)开(kai)关，本来两个(ge)串(chuan)(chuan)联就能够(gou)(gou)了(le)(le)，如今为(wei)(wei)了(le)(le)增(zeng)加(jia)(jia)保险(xian)系数(shu)，就需求(qiu)3个(ge)串(chuan)(chuan)联。

串联需求思索的要素与并联大同小异，额外需求思索的要素是突波吸收电路的参数需求停止挑选，由于它们还同时担当着动态均压的任务。所谓动态均压，就是功率开关高速开关条件下的均压，与此相对应，功率开关出于稳定关断状态时的均压通常称为静态均压，普通用电阻来完成。

由于(yu)VMOS的(de)串联(lian)(lian)很少有实(shi)践(jian)应用(yong)，这(zhei)里只给(ji)出一个2管串联(lian)(lian)的(de)表示图（图5.88）。至于(yu)信号隔离器件的(de)选择，视开关速(su)度和隔离电压(ya)的(de)上下(xia)而定，光耦有利于(yu)进步开关速(su)度，变压(ya)器有利于(yu)进步隔离电压(ya)等(deng)级并且(qie)高压(ya)侧的(de)驱动局部能够自供电，但是主要适(shi)用(yong)于(yu)低速(su)应用(yong)。

mos管