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场效应管场效应管是应用电场效应来控制电流变化的放大元件(jian)。它与晶体管相比，具有输入阻高、噪声低、热稳定性好等优点，因此得到了疾速开展与应用。场效应管与晶体管同为放器件，但工作原理不同：晶体管是电流控制器件，在一定条件下，其集电极电流受基极电控制；而场效应管是电压控制器件，电了电流受栅极电压控制。

场效应管的基本知识
定义

场(chang)效应晶体(ti)管(guan)简称(cheng)场(chang)效应管(guan)。它由多(duo)数载(zai)流子参与导(dao)(dao)电(dian)，也称(cheng)为(wei)单极型晶体(ti)管(guan)。它属于电(dian)压控制(zhi)(zhi)型半(ban)导(dao)(dao)体(ti)器(qi)件(jian)，具有输(shu)入电(dian)阻高(gao)，噪声小、功耗(hao)低、动(dong)态范围大、易于集成(cheng)，没有二次击穿现象、平(ping)安(an)工作区域宽等(deng)优点。在开关电(dian)源中常用的是金属—氧化物—半(ban)导(dao)(dao)体(ti)场(chang)效应管(guan)MOSFET（MetalOxide Semicoductor Field Effect Tran-sistor），它是由金属、氧化物（Sio2或SiN)半(ban)导(dao)(dao)体(ti)三(san)种资料制(zhi)(zhi)成(cheng)的，是应用电(dian)压控制(zhi)(zhi)电(dian)流以完成(cheng)放大作用的半(ban)导(dao)(dao)体(ti)器(qi)件(jian)。

2．功用

①场(chang)效(xiao)(xiao)应管可应用(yong)于放大(da)(da)。由于场(chang)效(xiao)(xiao)应管的放大(da)(da)器的输入(ru)电阻很高，所以其耦(ou)合电容(rong)的容(rong)量能够(gou)较小：不(bu)用(yong)运(yun)用(yong)电解电容(rong)。

② 场效应管(guan)能(neng)够用做(zuo)电(dian)子开关(guan)。

③场效应管的输入阻抗很高，因而它十分合适用于阻抗变换。它常用在多级放大器的输入级停止阻抗变换。
④场(chang)效应(ying)管(guan)能(neng)够(gou)用做可变电阻。

⑤场效应管能(neng)够便当地用做恒流源。

3.场效应(ying)管的分类

场效应管分为结型、绝缘栅型两大类。结型场效应管(JFET)因有两个PN结而得名，绝缘栅型场效应管则因栅极与其他电极完整绝缘而得名。目前在绝缘栅型场效应管中，应用最为普遍的是MOS场效应管，简称MOS管(guan)(guan)(guan)(guan)(guan)（即金(jin)属—氧化(hua)物(wu)—半导(dao)体(ti)场(chang)(chang)效(xiao)应(ying)(ying)(ying)管(guan)(guan)(guan)(guan)(guan)，MOSFET）；此外(wai)还有PMOS，NMOS和(he)UMOS功率(lv)场(chang)(chang)效(xiao)应(ying)(ying)(ying)管(guan)(guan)(guan)(guan)(guan)，以及最近刚问(wen)世的，πMOS场(chang)(chang)效(xiao)应(ying)(ying)(ying)管(guan)(guan)(guan)(guan)(guan)等。按沟(gou)道(dao)半导(dao)体(ti)资料的不同，结型和(he)绝缘栅型场(chang)(chang)效(xiao)应(ying)(ying)(ying)管(guan)(guan)(guan)(guan)(guan)各(ge)分(fen)为N沟(gou)道(dao)和(he)P沟(gou)道(dao)两种(zhong)。若按导(dao)电(dian)方式来划分(fen)，场(chang)(chang)效(xiao)应(ying)(ying)(ying)管(guan)(guan)(guan)(guan)(guan)又(you)可分(fen)红耗(hao)尽型与加强(qiang)(qiang)型。结型场(chang)(chang)效(xiao)应(ying)(ying)(ying)管(guan)(guan)(guan)(guan)(guan)均(jun)为耗(hao)尽型，MOS栅型场(chang)(chang)效(xiao)应(ying)(ying)(ying)管(guan)(guan)(guan)(guan)(guan)既有耗(hao)尽型的，也有加强(qiang)(qiang)型的。场(chang)(chang)效(xiao)应(ying)(ying)(ying)晶体(ti)管(guan)(guan)(guan)(guan)(guan)可分(fen)为结型场(chang)(chang)效(xiao)应(ying)(ying)(ying)晶体(ti)管(guan)(guan)(guan)(guan)(guan)和(he)Mos场(chang)(chang)效(xiao)应(ying)(ying)(ying)晶体(ti)管(guan)(guan)(guan)(guan)(guan)。而MOS场(chang)(chang)效(xiao)应(ying)(ying)(ying)晶体(ti)管(guan)(guan)(guan)(guan)(guan)又(you)分(fen)为N沟(gou)耗(hao)尽型和(he)加强(qiang)(qiang)型，P沟(gou)耗(hao)尽型和(he)加强(qiang)(qiang)型四大(da)类(lei)。

4．主要参数

1)直流参数

开启电压UT：是指加(jia)强(qiang)型绝缘(yuan)栅场效应管中(zhong)，使漏源间(jian)刚(gang)导(dao)通时的栅极电压。

夹断电压(ya)uGS（Off，（也能够用UP）：是指加强型绝(jue)缘栅(zha)(zha)场效应(ying)管中，使漏源间(jian)刚截止时的栅(zha)(zha)极电压(ya)。

饱(bao)和漏极电流IDss：指耗尽型绝缘栅场效应管(guan)在UGS=o时的漏极电流。

输入电阻RDS(DC)：因iG=0，所以输入电阻很大。JPET的输入电阻大于107Ω，MOSFET的输入电阻大于1012Ω。

2)交流参(can)数  低频(pin)跨导（互导）gm：反(fan)映了栅源电压(ya)对漏(lou)极电流的(de)控制才能，且与工作(zuo)点有(you)关，是转移特性曲线上过Q点切线的(de)斜(xie)率。

3)极(ji)限参数  最(zui)大(da)漏—源(yuan)电压U（BR)DS:漏极(ji)左近发作雪崩击(ji)穿时的(de)(de)UDs（漏源(yuan)电压）。  最(zui)大(da)栅—源(yuan)电压U（BR)CS:栅极(ji)与(yu)源(yuan)极(ji)间PN结的(de)(de)反向(xiang)击(ji)穿电压。  最(zui)大(da)耗散功率PDM:与(yu)晶体管的(de)(de)PcM类似(si)，当功率超越(yue)PDM时，场效(xiao)应管可能烧坏(huai)。

场效应管(guan)的命(ming)名办法(fa)

第一种(zhong)命(ming)名办法(fa)：与双极型晶体管相同，其(qi)中(zhong)第三(san)位字母为(wei)J代(dai)表结型场(chang)效应管，为(wei)0代(dai)表绝(jue)缘栅场(chang)效应管；

第二位字(zi)母(mu)(mu)代表资料，其(qi)(qi)中(zhong)(zhong)D是(shi)P型(xing)硅(gui)，其(qi)(qi)反型(xing)层(ceng)是(shi)N沟(gou)道(dao)，C是(shi)N型(xing)硅(gui)，其(qi)(qi)反型(xing)层(ceng)是(shi)P沟(gou)道(dao)。例如，3DJ6D是(shi)结型(xing)N沟(gou)道(dao)场效(xiao)应(ying)品体管，3D06C是(shi)绝缘栅型(xing)N沟(gou)道(dao)场效(xiao)应(ying)晶体管。第二种命名(ming)办(ban)法：CS X x#，其(qi)(qi)中(zhong)(zhong)CS代表场效(xiao)应(ying)管，xx是(shi)以数字(zi)代表型(xing)号(hao)的序号(hao)，#是(shi)用字(zi)母(mu)(mu)代表同(tong)一型(xing)号(hao)中(zhong)(zhong)的不同(tong)规(gui)格，如CS14A、CS45G等。

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