利盈娱乐(中国)创新平台有限公司

电子无源器件

◆14.1.1  集成电路电阻

为了构成(cheng)集(ji)成(cheng)电路电阻，可(ke)以淀积一(yi)层具有阻值的(de)(de)薄膜在硅(gui)衬底(di)上(shang)，然后(hou)运用图形曝光技术(shu)和(he)刻蚀定出其图样(yang)，也(ye)可(ke)以在生长于硅(gui)衬底(di)上(shang)的(de)(de)热氧化层上(shang)开窗，然后(hou)写(xie)入（或是涣散）相反导电型杂质到晶片内，图14.3闪现运用后(hou)者(zhe)方法构成(cheng)的(de)(de)两个电阻的(de)(de)顶(ding)视图和(he)截面(mian)图，一(yi)个是曲折(zhe)型，另一(yi)个是直条(tiao)型.

首要考虑直(zhi)条型(xing)电阻．在距(ju)表面(mian)深(shen)为(wei)х处、平行于表面(mian)厚(hou)度dχ的p型(xing)材料薄膜层的微分电导dG（如B-B截面(mian)所示）为(wei)式

中w是直条的(de)宽度(du)，L是直条的(de)长度(du)（假定先忽略端点的(de)触摸面积(ji)），μp是窄(zhai)穴迁移(yi)率(lv)，p为掺杂的(de)浓度(du)，这个直条型电(dian)(dian)阻的(de)悉数写入区的(de)电(dian)(dian)导(dao)为

此(ci)处，一个正(zheng)方形(xing)电(dian)阻的电(dian)导(dao)，也就(jiu)是当L＝w时，G=g．因(yin)此(ci)，电(dian)阻为

此处l/g通常用符号(hao)R口定义，称为薄层(ceng)电阻(zu)（sheet resistance，又称为方块(kuai)电阻(zu)）．薄层(ceng)电阻(zu)的单(dan)位是Q，但(dan)习(xi)惯上(shang)以欧／方块(kuai)（Ω／口）为单(dan)位.

由如图(tu)14.3所(suo)示的(de)(de)(de)掩模版定(ding)义出不(bu)(bu)(bu)同的(de)(de)(de)几何图(tu)样，可同时在一(yi)个(ge)(ge)集(ji)成(cheng)(cheng)电(dian)(dian)(dian)路中(zhong)(zhong)制(zhi)造出许多(duo)不(bu)(bu)(bu)同阻(zu)(zu)(zu)值的(de)(de)(de)电(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)(zu)．因(yin)为(wei)对(dui)(dui)所(suo)有电(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)(zu)而(er)言工(gong)艺步骤是(shi)(shi)(shi)相同的(de)(de)(de)，因(yin)此(ci)将电(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)(zu)值的(de)(de)(de)大(da)小分成(cheng)(cheng)两部分是(shi)(shi)(shi)很方(fang)便(bian)的(de)(de)(de)：由离(li)子(zi)注入(ru)（或是(shi)(shi)(shi)扩(kuo)散(san)）工(gong)艺决(jue)定(ding)薄层电(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)(zu)(R□)；由图(tu)样尺(chi)寸(cun)决(jue)定(ding)L/W 例．一(yi)旦R口(kou)已(yi)知(zhi)，电(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)(zu)值可以由L/W的(de)(de)(de)份额得知(zhi)，或是(shi)(shi)(shi)由电(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)(zu)图(tu)样中(zhong)(zhong)的(de)(de)(de)方(fang)块(kuai)(kuai)数目得知(zhi)（每(mei)个(ge)(ge)方(fang)块(kuai)(kuai)的(de)(de)(de)面积为(wei)WXW）．端(duan)点触摸面积会添加额定(ding)的(de)(de)(de)电(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)(zu)值至集(ji)成(cheng)(cheng)电(dian)(dian)(dian)路电(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)(zu)中(zhong)(zhong)，就(jiu)图(tu)）4.3中(zhong)(zhong)类型(xing)的(de)(de)(de)电(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)(zu)，每(mei)个(ge)(ge)端(duan)点触摸对(dui)(dui)应到大(da)概o．65个(ge)(ge)方(fang)块(kuai)(kuai)．对(dui)(dui)曲折型(xing)电(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)(zu)而(er)言，在曲折处(chu)(chu)的(de)(de)(de)电(dian)(dian)(dian)场线散(san)布(bu)不(bu)(bu)(bu)是(shi)(shi)(shi)均匀(yun)地跨过电(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)(zu)的(de)(de)(de)宽度(du)，而(er)是(shi)(shi)(shi)密布(bu)于(yu)内侧的(de)(de)(de)转角处(chu)(chu)．因(yin)此(ci)在曲折处(chu)(chu)的(de)(de)(de)一(yi)个(ge)(ge)方(fang)块(kuai)(kuai)并不(bu)(bu)(bu)精确地等于(yu)一(yi)个(ge)(ge)方(fang)块(kuai)(kuai)，而(er)是(shi)(shi)(shi)约为(wei)o．65个(ge)(ge)方(fang)块(kuai)(kuai).

联(lian)系方(fang)式：邹先(xian)生(sheng)

联(lian)系电话：0755-83888366-8022

手(shou)机：18123972950

QQ：2880195519

联系(xi)地址(zhi)：深圳市福(fu)田(tian)区车公庙天(tian)安数码城天(tian)吉大厦(sha)CD座5C1

关注(zhu)KIA半导体工程专辑请搜微(wei)信号:“KIA半导体”或点(dian)击(ji)本文下方(fang)图(tu)片扫一(yi)扫进入官方(fang)微(wei)信“关注(zhu)”

长按二维码识别(bie)关注