常见(jian)的(de)PWM专用(yong)IC的(de)输出级都(dou)能(neng)够直(zhi)接(jie)驱动(dong)(dong)MOS管(guan)| 也能(neng)够直(zhi)接(jie)驱动(dong)(dong)VMOS管(guan)
信(xin)息来源(yuan)：本站 日(ri)期：2017-08-08
工作频率和驱动信号的占空比不是很大，并且VMOS的功率规格也不是很大时，普通并不需求为VMOS配置特地的驱动电路。通用的CMOS半导体(互补(bu)金属氧化物(wu)品(pin)体管逻(luo)辑(ji)IC)、TTL（晶体管逻(luo)辑(ji)）集(ji)成电(dian)路、常见的(de)(de)PWM专(zhuan)用IC的(de)(de)输出级都能(neng)够(gou)直接驱(qu)动(dong)VMOS。这种驱(qu)动(dong)方式普(pu)通适(shi)用于(yu)驱(qu)动(dong)信号的(de)(de)产生及控制电(dian)路与VMOS构成的(de)(de)功率级电(dian)路共地的(de)(de)状况。
TTL集(ji)(ji)成电(dian)(dian)路(lu)的(de)逻(luo)辑电(dian)(dian)平为(wei)5V，输(shu)出(chu)(chu)级通常由(you)BJT（双极性晶(jing)体管(guan)）组成，信号普(pu)通从(cong)集(ji)(ji)电(dian)(dian)极输(shu)出(chu)(chu)，这就(jiu)是常说的(de)“集(ji)(ji)电(dian)(dian)极开路(lu)输(shu)出(chu)(chu)”，当然，输(shu)出(chu)(chu)级也有采用MOSFET的(de)，这就(jiu)是“开漏输(shu)出(chu)(chu)”。上述开路(lu)输(shu)出(chu)(chu)方式需求外部电(dian)(dian)路(lu)配(pei)置(zhi)偏置(zhi)电(dian)(dian)阻，以树立工作点(dian)，限定输(shu)出(chu)(chu)电(dian)(dian)流（图5．71）。
在驱动才能有限的条件下，为了减小引线寄生电感的影响，VMOS间隔控制电路越近越好。为了防止栅极电流对控制电路的影响，图中的旁路( Bypass)电容也是引荐要采刚的，普通采用聚酣、CBB、瓷片等无极性电容，容量为0.1~lμF即可。
采用TTL集成电路驱动MOS另一个需(xu)(xu)求留(liu)意的(de)(de)问题(ti)是，工作电压(ya)至少(shao)要高(gao)于VMOS的(de)(de)开启(qi)电压(ya)VGS（th），而(er)且要保(bao)证图中(zhong)A点的(de)(de)驱(qu)动电压(ya)高(gao)于开启(qi)电压(ya)。用CMOS来(lai)驱(qu)动根本上不(bu)需(xu)(xu)求思(si)索这样的(de)(de)问题(ti)，由于此类(lei)Ic能(neng)够提供12V左右的(de)(de)信号电平(图5.72)。
联系方式：邹先生(sheng)
联系电(dian)话：0755-83888366-8022
手机：18123972950
QQ：2880195519
联系地址(zhi)：深圳市福田区(qu)车(che)公庙天安(an)数码城天吉大厦CD座5C1
关(guan)注KIA半(ban)导体(ti)工(gong)程专(zhuan)辑请搜微信(xin)号:“KIA半(ban)导体(ti)”或点击本文下方(fang)图片(pian)扫(sao)一扫(sao)进入官方(fang)微信(xin)“关(guan)注”
长按二维(wei)码(ma)识别(bie)关注
