mos管(guan)(guan)场效应管(guan)(guan)功率规格(ge)型号有哪些？
信息来源：本(ben)站 日期：2017-08-02
功率规格：PD、Ptot、IDR、IS
PD、Ptot的含义略有差别，有些制造商则会忽略了两者的差别。通常所说的“多少瓦”的管子就是指的PD、Ptot额定值。
PD的含义是“Under Specified Heat Conditions，Maximum Allowable Val-ue of Constant Drain Power Dissipation”（给定散热条件下，漏极允许的最大连续功耗），没有明确说明的情况下，包括VMOS管芯本身(shen)与体二极管的功耗。给定(ding)散热条件只是定(ding)义了测(ce)(ce)试(shi)(shi)条件，对测(ce)(ce)试(shi)(shi)结果并无影响。
Ptot的含(han)义是“Total Dissipation”（总耗散功率），明确表示包(bao)括了体二(er)极管的功耗。
耗(hao)散(san)(san)功率(lv)(lv)指的(de)是晶体管(guan)自身能够消(xiao)耗(hao)的(de)最大(da)电(dian)功率(lv)(lv)，这(zhei)些电(dian)功率(lv)(lv)都(dou)转(zhuan)化(hua)成了热能，因此也可以(yi)理解为晶体管(guan)自身发散(san)(san)热最的(de)能力。
如果一份技术文档明确指出PD只是管芯的功率耗散能力，那么Ptot就约等于PDX2。这是因为VMOS管芯本身与(yu)体二极(ji)管的(de)功率(lv)耗散(san)能力几乎是一样的(de)。
一般情况下，如果制造商分别给出了VMOS管芯与体二极管的耗散功率，这时候的VMOS多半是采用了与肖特基二极管相当的体二极管，如SiC体二极管，这样的体二极管的自身功耗小，功率耗散能力也相对要小一些。如果是低速应用，就要适当地降低PD，因为低速情况下高速体二极管(guan)的(de)优势(shi)是难以体
现的。
PD是容易让入门者误解的数据，不少入门者会误认为这是：VMOS的功率输出能力。当然，VMOS要输出功率，PD也是必需(xu)的，尽管如(ru)此，二者并没有必然的联系。
技术手册中给出的是PD的最大值，如果把VMOS看作一个人，PD就可(ke)以视为一个人(ren)的饭量(liang)，这个人(ren)的力气就好比是功(gong)率输出能力。尽管人(ren)力上的饭量(liang)一般都(dou)很大，但是饭量(liang)大的人(ren)可(ke)不(bu)一定是人(ren)力土。
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