结型场效应管

1.构造与符号

结型场(chang)效应(ying)管的构(gou)造(zao)表(biao)示(shi)图及(ji)其表(biao)示(shi)符号如(ru)图2-31所示(shi)。

在图2-31(a)中，s表示Source，源极；D表示Drain，漏极；G表示Gate，栅极。在漏极和源极之间加上一个正向电压后，N型嗲电子半导体中的(de)多数载流子(zi)（电(dian)子(zi)）便能够导电(dian)了。这种导电(dian)沟(gou)道是N型(xing)的(de)场效应管，称为(wei)N沟(gou)道结型(xing)场效应管。

图2-31 (b)中的场效(xiao)应管在P型(xing)硅(gui)棒的两侧(ce)制成了高掺杂的N型(xing)区(N+)，其导(dao)电沟道为(wei)P型(xing)，多数载流子为(wei)空穴(xue)。

2．结型场效应管的特性曲线

1)转移特性曲线

转移特(te)性曲线表达当UDS一(yi)定时，栅源(yuan)电(dian)压(ya)Ucs对(dui)漏极电(dian)流iD的控制造用，即

理论剖析和(he)实(shi)测结果(guo)标(biao)明，iD与(yu)ucs契合(he)平方律关(guan)系，即

式(shi)中，IDSS为饱和电(dian)流，表示(shi)UGS=o时的iD值；UP为夹断电(dian)压(ya)，表示(shi)UGS=Up时iD为零。

由此可见，结型MOS场效应管转(zhuan)移(yi)(yi)特性(xing)曲线(xian)是用来阐(chan)明在一定的(de)漏(lou)(lou)源(yuan)(yuan)电压u陌时，栅源(yuan)(yuan)电压UGS和(he)漏(lou)(lou)极电流iD之间变化关(guan)系的(de)曲线(xian)。JFET的(de)转(zhuan)移(yi)(yi)特性(xing)曲线(xian)如(ru)图2-32所示。

为了(le)使输(shu)入阻(zu)抗大（不允许呈(cheng)现栅流ic），也(ye)为了(le)使栅源电(dian)压对沟道宽度及漏(lou)极电(dian)流有效地停止控(kong)制(zhi)，PN结一(yi)定要反偏，因而在(zai)N沟道JFET中，uGS必(bi)需为负值。

2、输出特性曲线

输出特性曲线表(biao)达当栅源电压(ya)UGS，不变时(shi)，漏极电流iD与漏源电压(ya)UDS的关系，即

由(you)此可见，输出(chu)(chu)特性(xing)曲线(xian)表示(shi)的足以Ucs为(wei)参变(bian)量时iD与UDS的关系。JFET的输出(chu)(chu)特性(xing)曲线(xian)如图2-33所示(shi)，依据特性(xing)曲线(xian)的各局部特征(zheng)，能够将其(qi)分为(wei)四个(ge)区域(yu)，如图中所示(shi)。