n沟道和p沟道增(zeng)强型mos管的工作原理 场(chang)效(xiao)应(ying)mos管
信息来源：本站 日(ri)期(qi)：2017-07-17
绝(jue)缘栅型场(chang)效应管的构造表示(shi)图如图2-34所(suo)示(shi)。
N沟道加强(qiang)型(xing)(xing)MOSFET的(de)(de)沟道构成及符号(hao)如(ru)图(tu)2-35所示(shi)(shi)，其中(zhong)(zhong)图(tu)2-35 (a)所示(shi)(shi)是在(zai)一块杂(za)质浓度较低的(de)(de)P型(xing)(xing)半导体衬底上制(zhi)造(zao)两个高(gao)浓度的(de)(de)N型(xing)(xing)区，并(bing)分别将(jiang)它们作为(wei)源极(ji)(ji)s和漏极(ji)(ji)D，然(ran)后在(zai)衬底的(de)(de)外表(biao)制(zhi)造(zao)一层(ceng)Si02绝(jue)缘层(ceng)，并(bing)在(zai)上面引出一个电极(ji)(ji)作为(wei)栅极(ji)(ji)G。图(tu)2-35(b)所示(shi)(shi)是其在(zai)电路中(zhong)(zhong)的(de)(de)符号(hao)。
N沟道加强型MOSFET的转移特(te)性曲线如图2-36所示。
式中，UT为(wei)(wei)(wei)开启电(dian)压（或阈值电(dian)压）；μn为(wei)(wei)(wei)沟(gou)道(dao)电(dian)子运动的迁移率；Cox为(wei)(wei)(wei)巾位面积(ji)栅极电(dian)容；W为(wei)(wei)(wei)沟(gou)道(dao)宽(kuan)度；疋为(wei)(wei)(wei)沟(gou)道(dao)长(zhang)度；W/L为(wei)(wei)(wei)MOSFET的宽(kuan)长(zhang)比。在MOSFET集成(cheng)电(dian)路设(she)计(ji)中，宽(kuan)长(zhang)比是一个极为(wei)(wei)(wei)重要的参数(shu)。
N沟道MOS管(guan)的输出特性曲线如(ru)图2-37所示。与结型场效应管(guan)的输出特性相似，它也分为恒流区、叮变电阻区、截止区和(he)击穿区。其特性如(ru)下所示。
①截止区(qu)：UGS≤UT，导电沟(gou)道未(wei)构成，iD=0。
②恒流区(qu)：
·曲线(xian)距(ju)离平均，UGS对iP的控制才能强；
·UDS对iD的控制才(cai)能弱，曲线平整；
·进入恒流区的条件(jian)，即预灾断条件(jian)为UDS≥UCS-UT。
③可(ke)变电(dian)阻区：
可变电阻区的电流方程为
因而，可变电阻(zu)区的输(shu)出电阻(zu)rDS为
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