低电压规格趋向

如今曾经很少有制造商推出新型号的高压VMOS（1000V以上），市场上的新品的电压规格根本上集中在500一600V程度。主要的缘由是，低电压规格的VMOS，在功耗方面具有明显的优势，而且电压规格越低，这个优势越明显。电压规格低于100V以后，VMOS的低功耗优势简直是决议性的。其次是IGBT的开展，可以顺应150kHz硬开关的产品曾经上市，而且IGBT在高电压规格和大功率规格方面有着明显的优势。

不过，在电压规格方而，（KIA）VMOS也不是完整没有建树，丰要开展是新型半导体资料的应用，典型的例了是SiC，相似的开展也表现在IGBT方面。目前实用化的应用是用基于肖特基势垒的肖特基二极管替代传统的体二极管，除了有利于降低VMOS的续流功耗，重要的是，可以进步其抵御“雪崩能量”的才能。关于雪崩能量的问题，相关的阐明在本书的第3章。
同样从SiC资料受益的还有功率VFET，并(bing)且不(bu)局限于体二极管的产(chan)品也(ye)曾经面世，电压(ya)规格可达1700V，只是目前的产(chan)量和跟进的制造商不(bu)多，市(shi)场(chang)前景还有待察看。

SiC资料(liao)的(de)应用(yong)(yong)，除(chu)了在电压规格方面可以有所打破；在低压产品中(zhong)也是(shi)大有可为，那(nei)就是(shi)明显进步(bu)器件的(de)适用(yong)(yong)开关频率(图1. 48)。当然，新型(xing)半导(dao)体的(de)应用(yong)(yong)，并(bing)不仪(yi)仪(yi)限于SiC，曾(ceng)经开端应用(yong)(yong)的(de)新型(xing)半导(dao)体新资料(liao)还有GaN、GaAs等。

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