场效应管的简单分类：JFET与MOSFET

如何(he)构(gou)建一个可(ke)以控制沟道(dao)电流的栅极（区）呢？

目前大致有两种办法，一种是用两个相同的半导体构(gou)建栅(zha)区(qu)，这两(liang)个栅(zha)区(qu)就(jiu)像水龙(long)头(tou)的(de)(de)阀(fa)芯与(yu)阀(fa)座，所不(bu)同(tong)的(de)(de)是，阀(fa)座是固(gu)定的(de)(de)，而两(liang)个栅(zha)区(qu)都是“挪动”的(de)(de)，即两(liang)个栅(zha)区(qu)同(tong)时控制导(dao)(dao)电(dian)通道(dao)的(de)(de)宽(kuan)窄大小从(cong)而控制流过通道(dao)的(de)(de)电(dian)流的(de)(de)大小，控制办法是应(ying)用(yong)电(dian)场构(gou)成根本不(bu)导(dao)(dao)电(dian)的(de)(de)“耗尽区(qu)”，功用(yong)构(gou)造如图(tu)1.9所示。这种构(gou)造的(de)(de)FET就(jiu)是JFET(Junction gate FET)，由于(yu)沟(gou)(gou)(gou)(gou)道(dao)的(de)(de)不(bu)同(tong)，有N沟(gou)(gou)(gou)(gou)道(dao)JFET(NJFET)和(he)P沟(gou)(gou)(gou)(gou)道(dao)JFET(PJFET)之分，其沟(gou)(gou)(gou)(gou)道(dao)分别为N型和(he)P型半导(dao)(dao)体。N沟(gou)(gou)(gou)(gou)道(dao)JFET的(de)(de)构(gou)造简图(tu)如图(tu)1.9所示，关于(yu)P沟(gou)(gou)(gou)(gou)道(dao)，只需求将(jiang)N与(yu)P对调即可。

所(suo)谓(wei)“耗尽(jin)(jin)区”(Depletion Region)，就是两(liang)(liang)个不同(tong)性质的(de)(de)半导体的(de)(de)分(fen)界(jie)面两(liang)(liang)侧左近的(de)(de)区域，由于(yu)电场的(de)(de)吸(xi)收(shou)作(zuo)用，载流子（自在电子和(he)空(kong)穴）分(fen)别(bie)被两(liang)(liang)侧的(de)(de)半导体区域“耗费”殆尽(jin)(jin)了。耗尽(jin)(jin)区根本个导电，属于(yu)高阻(zu)区（电阻(zu)比拟高的(de)(de)区域）。

另一(yi)种比JFET想象提出稍微早(zao)一(yi)些但是工程理(li)论却略微迟一(yi)些的(de)是下面(mian)的(de)构造（图(tu)(tu)1. 10）。栅(zha)极(ji)(ji)(ji)（区）由(you)(you)金属(shu)板构成而(er)不是半导(dao)体，徭要留意(yi)的(de)是，无论是图(tu)(tu)1.9还是图(tu)(tu)1. 10，图(tu)(tu)中的(de)纯(chun)黑区域(yu)是引(yin)线电(dian)极(ji)(ji)(ji)，是为了(le)电(dian)极(ji)(ji)(ji)的(de)引(yin)出而(er)设的(de)，即(ji)(ji)端电(dian)极(ji)(ji)(ji)，与(yu)之相连的(de)才是功用电(dian)极(ji)(ji)(ji)，即(ji)(ji)实(shi)践的(de)栅(zha)极(ji)(ji)(ji)、漏极(ji)(ji)(ji)与(yu)源极(ji)(ji)(ji)，由(you)(you)于(yu)它们实(shi)践上是一(yi)个区域(yu)，才有诸如“栅(zha)区”这样的(de)称谓。

由于图1. 10所示的这种构造与JFET相比，主要的区别是金属层、氧化膜和“掺杂”的半导体，MOSFET的名字大致就是这样来的。与JFET 一样，由于导电沟道的不同，MOSFET也(ye)有N河道(dao)(dao)(dao)MOSFFET( NMOS)和(he)P沟(gou)(gou)道(dao)(dao)(dao)MOS-FET(PMOS)两类，其沟(gou)(gou)道(dao)(dao)(dao)分(fen)(fen)(fen)别(bie)为N型(xing)(xing)和(he)P型(xing)(xing)半导体(ti)，图1.10是N沟(gou)(gou)道(dao)(dao)(dao)JFET。关(guan)于P沟(gou)(gou)道(dao)(dao)(dao)，只需(xu)求(qiu)将N与P对调即(ji)可。另外，PMOS和(he)NMOS -般用于称谓集(ji)成电(dian)路(lu)中的器件单元，在普通(tong)分(fen)(fen)(fen)立元件的电(dian)路(lu)中很少这样(yang)称谓，有时(shi)分(fen)(fen)(fen)PMOS也(ye)是功(gong)率MOSFET(Power MOSFET)的简称。

图1. 10只是最初的构造，如今的功率MOSFET，其中(zhong)(zhong)金属层(ceng)和金属酸化(hua)(hua)膜（氧化(hua)(hua)膜）曾经分(fen)别被多(duo)晶(jing)(jing)硅(Polysilicon)和Si0：（氧化(hua)(hua)膜）取代了，MOSFET称号中(zhong)(zhong)的(de)“M”(Metal)与(yu)“O”(Oxide)曾经名存实亡了。MOSET也称为(wei)IGFET(In-sulated Gate Field Effect Transistor绝缘栅(zha)场效应晶(jing)(jing)体管)，这个称号以今天的(de)目(mu)光来看，更具有前(qian)瞻性(xing)，也更为(wei)适宜。

多晶硅并不是“导体”而是“半导体”，从这一(yi)(yi)点(dian)来看，JFET与MOSFET的区别经过一(yi)(yi)段时间的开展之后减小了，有点(dian)“异(yi)曲同工(gong)”的滋味。

关(guan)注KIA半导(dao)体工程专辑请搜(sou)微信(xin)号(hao):“KIA半导(dao)体”或点击本(ben)文(wen)下方图(tu)片扫(sao)一(yi)扫(sao)进入官方微信(xin)“关(guan)注”