login_拉菲9「一家可靠的游戏平台」mos管芯片-常用mos管芯片的应用封装结构分析-KIA MOS管

mos管芯片-常(chang)用(yong)mos管芯片的应用(yong)封(feng)装(zhuang)结构分析-KIA MOS管

信息来源：本站　日期：2017-07-31　

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HEXMOS与管(guan)芯(xin)构造，为了增加(jia)水龙(long)(long)(long)(long)头(tou)的(de)流(liu)量，水龙(long)(long)(long)(long)头(tou)能(neng)够(gou)将口径(jing)做(zuo)得很(hen)大，这时分的(de)水龙(long)(long)(long)(long)头(tou)一(yi)般称为“阀(fa)门”，当然也能(neng)够(gou)用多个小口径(jing)的(de)水龙(long)(long)(long)(long)头(tou)来替(ti)代，只(zhi)是工程上很(hen)少(shao)这样(yang)用。

功率晶体管恰恰采用的是第二种办法，用无数个“小晶体管”构成更大功率的晶体管，假如是分立元件，这种办法—般称为“并联”，关于单个晶体管，这种办法称为“多（单）元集成”。

HEXMOS就是门前最主流的一种MOSFET“管芯单元”的规划方式(图1. 20)，专利是美国IR公司的。由于“管芯单元”的规划外形呈”Hcxagonal（六边形）而得名。

图1. 20所(suo)示(shi)的(de)(de)是N沟(gou)道的(de)(de)HEXFET的(de)(de)构造(zao)表示(shi)图，图中也画出了电流的(de)(de)方向。由于MOSFET只(zhi)能(neng)耐受比拟高(gao)的(de)(de)正向电压，多数MOSFET曾经内(nei)置了维(wei)护二极(ji)管，这就是体(ti)二极(ji)管。关(guan)于体(ti)二极(ji)管，在(zai)后续(xu)章(zhang)节(jie)中还会有细致(zhi)引见。
需(xu)求阐明的(de)是(shi)，这(zhei)是(shi)一(yi)个(ge)3D构造，漏(lou)极和(he)漏(lou)区在(zai)垂直(zhi)方向。每(mei)一(yi)个(ge)六边形(xing)单(dan)元并不(bu)是(shi)一(yi)个(ge)“管芯单(dan)元”，而是(shi)多(duo)个(ge)“管芯单(dan)元”的(de)排列组合。这(zhei)一(yi)点从(cong)电子显微(wei)镜照片上能够更(geng)为(wei)分明地看到（图1. 21）。

每一(yi)(yi)个(ge)并联的“小(xiao)晶体(ti)管”称为“Cell”或者“Chip Cell"，普通中文(wen)材料都将其译为“元胞”，本书则将它们(men)称为“管芯单元”，由(you)于它们(men)就是(shi)(shi)(shi)一(yi)(yi)个(ge)个(ge)完好(hao)的微型品体(ti)管。无论(lun)是(shi)(shi)(shi)小(xiao)功率还是(shi)(shi)(shi)大(da)功率晶体(ti)管，都包含(han)不(bu)止一(yi)(yi)个(ge)这样的“管芯单元”，只是(shi)(shi)(shi)数(shu)量不(bu)同而已。

最后封装在一同的“管芯唯元”的汇合，就是“管芯”。“管芯单元”在“管芯”上的排列办法与多个分立元件的晶体管并联排列办法有很大的不同，但是目的是相同的：优化电路规划，减少占板面积。关于“管芯”而言，是在尽量小的硅片上包容尽量多的“管芯单元”。

虽然HEXFET是目前较为(wei)主(zhu)流的规划构造，为(wei)很多第"方制造商所采用，但(dan)也不是独一的规划

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