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MOS的集成 :CMOS，BiCMOS/BiMOS,HV-CMOS

CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Transistor，互补型金属氧化物半导体)器件是目前比(bi)拟(ni)成(cheng)熟的半(ban)导休集(ji)(ji)成(cheng)下艺之一，能够了解为(wei)集(ji)(ji)成(cheng)电(dian)路中(zhong)(zhong)的横向构造(zao)MOSFET，为(wei)了进步开关(guan)速(su)度，降低(di)功(gong)耗，采(cai)用(yong)(yong)一个(ge)N沟道(dao)(NMOS)和一个(ge)P沟道(dao)(PMOS)的互补构造(zao)作为(wei)一个(ge)MOSFET来运用(yong)(yong)(图1. 30)。CMOS的这种构造(zao)互补构造(zao)组成(cheng)的电(dian)路方(fang)式在(zai)集(ji)(ji)成(cheng)电(dian)路中(zhong)(zhong)应(ying)用(yong)(yong)比(bi)拟(ni)广泛，也不(bu)只限于FET，BJT也能够，这种电(dian)路方(fang)式也称为(wei)图腾柱。与(yu)CMOS有关(guan)的公(gong)开材料(liao)相当丰厚，中(zhong)(zhong)文(wen)材料(liao)也是如此，这里不(bu)再(zai)赘述。

CMOS曾(ceng)经(jing)普遍用(yong)于RAM和(he)ROM中，直到目前，CMOS依然是(shi)(shi)最为省(sheng)电(dian)(dian)的(de)数字逻辑(ji)电(dian)(dian)路(lu)，也被(bei)以为是(shi)(shi)最为地道(dao)的(de)逻辑(ji)电(dian)(dian)路(lu)，在请求性价(jia)比(bi)的(de)应用(yong)中，Flash ROM和(he)BiCMOS逐步取(qu)代(dai)了CMOS。换言(yan)之，在很多应用(yong)中，假如本钱不是(shi)(shi)问题(ti)，CMOS的(de)优势依然不可替代(dai)，CMOS RAM采用(yong)普通的(de)碱性电(dian)(dian)池供电(dian)(dian)叮以坚持数据长达7年左右。

BiCMOS( Bipolar CMOS)与BiMOS是(shi)同义词，是(shi)双极(ji)(ji)工艺(yi)和(he)CMOS工艺(yi)的(de)(de)混血(xue)儿，这种本来是(shi)针对双极(ji)(ji)性(xing)器件与MOS器件难以在(zai)同一芯片上集(ji)成的(de)(de)混合丁艺(yi)，目前具有(you)尤(you)叮比较(jiao)的(de)(de)本钱优(you)势(shi)，并且叮以用(yong)于(yu)功率晶体管和(he)IC的(de)(de)制造。

目前常用场效应管、KIAmos管的(de)功(gong)率(lv)控制(zhi)IC的(de)常(chang)见(jian)工艺(yi)根本上就是上述两大类(lei)：BiCMOS和(he)HV-CMOS，本来(lai)非主流的(de)SOI( Silicon-On-Insulator，硅隔离(li))工艺(yi)正在开展中(zhong)(图(tu)1. 31)。

进(jin)步电(dian)压(ya)规(gui)格能够有效进(jin)步控制功(gong)率，而且(qie)有些器件的驱(qu)动确实需求比拟高的电(dian)压(ya)，如目(mu)前新兴的大(da)屏幕FPD（Flat-Panel Displays，平(ping)板显现屏）中的PDP( Plasma Display Panels，等(deng)离子显现屏)、FF.D( Field，F.mission Displays，场致发射显现屏)、EL(Electro Luminescent Displays，电(dian)致发光显现屏)等(deng)等(deng)。

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