常用场效应管的主要(yao)参(can)数是什么？哪(na)些是基(ji)本参(can)数？
信息来源：本站(zhan) 日期(qi)：2017-07-14
(1)场效应管的根本参数
①夹断(duan)电(dian)(dian)压UP 也(ye)称截止栅压UGS(OFF)，是在耗尽(jin)型(xing)结型(xing)场效应管(guan)或耗尽(jin)型(xing)绝缘栅型(xing)场效应管(guan)源(yuan)极接(jie)地的(de)(de)状(zhuang)况下，能使其漏源(yuan)输出电(dian)(dian)流(liu)减小到零时(shi)所(suo)需的(de)(de)栅源(yuan)电(dian)(dian)压UGs。
②开(kai)启电(dian)(dian)压UT 也称阀电(dian)(dian)压，是(shi)加(jia)强型(xing)(xing)绝缘栅(zha)(zha)型(xing)(xing)场效应管在漏(lou)源(yuan)电(dian)(dian)压UDS为(wei)-‘定值时，能使其漏(lou)、源(yuan)极开(kai)端导通(tong)的最小栅(zha)(zha)源(yuan)电(dian)(dian)压UGS。
③饱和漏电流IDSS 是耗(hao)尽型(xing)场效(xiao)应(ying)管在零偏(pian)压（即栅源电压UGS为零）、漏源电压UDS大于夹断电压UP时的漏极电流。
④击(ji)穿电压BUDS和(he)BUGS
a．漏源击穿电(dian)压BUDS。也称漏源耐(nai)压值，是当场效应管的漏源电(dian)压UDS增大(da)到(dao)一定数值时，使漏极电(dian)流ID忽然增大(da)且不受栅极电(dian)压控(kong)制时的最大(da)漏源电(dian)压。
b．栅(zha)源(yuan)击穿电压BUGS。是(shi)场效(xiao)应(ying)管(guan)的栅(zha)、源(yuan)极之间能接(jie)受的最大工作电压。
⑤耗散(san)功(gong)率PD 也称漏极耗散(san)功(gong)率，该值约等于漏源电(dian)压(ya)UDS与(yu)漏极电(dian)流ID的乘积(ji)。
⑥漏泄电流ICSS 是(shi)场效应管(guan)的栅(zha)—沟道结施加反向偏压时产生的反向电流。
⑦直流输入电阻RGS 也称栅源绝缘电阻，是场效应管栅沟道在反偏电压作用下的电阻值，约等于栅源电压UGS与栅极电流的比值。
⑧漏源(yuan)(yuan)动态电(dian)阻RDS 是漏源(yuan)(yuan)电(dian)压UDS的变化量与漏极电(dian)流ID的变化量之比(bi)，普通为(wei)数(shu)千欧以上。
⑨低频(pin)跨导gm 也称(cheng)放大特性，是栅极(ji)(ji)电(dian)压UG对漏极(ji)(ji)电(dian)流ID的(de)控制才能(neng)，相似于三极(ji)(ji)管的(de)电(dian)放逐(zhu)大倍(bei)数β值。
⑩极间电容 是场效应管各极之间散布电容构成的杂散电容。栅源极电容（输入电容）CGS和栅漏极电容CGD的电容量为1~3pF，漏源极电容CDS的电容量为o．1~lpF。
(2)常用场效应管的主要参数
局部结型场(chang)效应(ying)晶体管的(de)主(zhu)要参数见表3-9。局部N沟道耗(hao)尽型MOS场(chang)效应(ying)晶体管的(de)主(zhu)要参数见表3-10。局部加强型MOS场(chang)效应(ying)晶体管的(de)主(zhu)要参数见表3-11。
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