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场(chang)效(xiao)应管的检测(ce),MOS场(chang)效(xiao)应管的基(ji)础检测(ce)方法

信息来源:本站 日(ri)期:2017-07-21 

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结型场效应管的检测

1.判别电极与管型

(1)将万用表的转换开关置于电阻(zu)挡的RX100挡或(huo)RXlk挡。

(2)用黑表(biao)笔(bi)任接一个电极,用红表(biao)笔(bi)依次(ci)触(chu)碰另外曲个电极,进行(xing)测量(liang)。

(3)判(pan)断:若两(liang)(liang)次测(ce)得的(de)电(dian)阻(zu)(zu)阻(zu)(zu)值(zhi)近(jin)似(si)相(xiang)等,则(ze)(ze)表(biao)明该(gai)黑(hei)表(biao)笔接(jie)的(de)是(shi)(shi)栅极(ji)(ji)G,另外两(liang)(liang)个电(dian)极(ji)(ji)分别是(shi)(shi)源极(ji)(ji)S和漏极(ji)(ji)D。结(jie)(jie)型场效(xiao)应(ying)晶体管的(de)源极(ji)(ji)S和漏极(ji)(ji)D在结(jie)(jie)构上具有对称性,可以互换使用。若两(liang)(liang)次测(ce)得的(de)电(dian)阻(zu)(zu)阻(zu)(zu)值(zhi)均很大,则(ze)(ze)说明测(ce)的(de)是(shi)(shi)PN结(jie)(jie)的(de)反向(xiang)电(dian)阻(zu)(zu),可判(pan)定(ding)是(shi)(shi)N沟道(dao)场效(xiao)应(ying)管。若两(liang)(liang)次测(ce)得的(de)电(dian)阻(zu)(zu)阻(zu)(zu)值(zhi)均很小,即(ji)说明测(ce)的(de)是(shi)(shi)正(zheng)向(xiang)PN结(jie)(jie),即(ji)正(zheng)向(xiang)电(dian)阻(zu)(zu),可判(pan)定(ding)是(shi)(shi)P沟道(dao)场效(xiao)应(ying)管。黑(hei)表(biao)笔接(jie)的(de)是(shi)(shi)栅极(ji)(ji)G。若不出现上述(shu)(shu)情(qing)况,可以调换黑(hei)、红表(biao)笔按(an)上述(shu)(shu)方法进行测(ce)试(shi),直到判(pan)别出栅极(ji)(ji)G为止。


2.判断结型场效应(ying)管的好坏

(1)将(jiang)万(wan)用表的转换开关(guan)置于(yu)电阻挡(dang)的RX10挡(dang)或RX100挡(dang)。

(2)测(ce)量源极S与漏(lou)极D之间(jian)的电(dian)阻,通常(chang)在(zai)几十欧到(dao)几千(qian) 欧之间(jian)(在(zai)手册中可知,各种不同型号的管,其电(dian)阻值是各不相同的)。

(3)判断:若测(ce)得阻值大于(yu)(yu)正常值,可(ke)能是(shi)由于(yu)(yu)内部接触不良;若测(ce)得阻值是(shi)无(wu)穷大,可(ke)能是(shi)内部断极。

(4)将(jiang)万用表的转(zhuan)换(huan)开(kai)关(guan)置于电阻(zu)挡的RXlOk挡。

(5)再测栅极Gl与G2、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值。

(6)判断:若测得其各项电阻值均为(wei)无穷大,则说明管子是(shi)正常的(de);若测得上述(shu)各阻值太小或为(wei)通路,则说明管子是(shi)坏的(de)。要注意(yi),若两个(ge)栅(zha)极在管内断极,可用元件代换法进行检(jian)测。


3.结型(xing)场(chang)效(xiao)应管放大(da)能力的检测

(1)将万(wan)用表的(de)转换开关置于电阻(zu)挡的(de)RX100挡。

(2)用红表笔(bi)接场效应(ying)管的源极(ji)S,黑表笔(bi)接其漏(lou)极(ji)D,测出漏(lou)、源极(ji)之间的电阻值RSD。

(3)再用(yong)手(shou)捏栅(zha)极G,观(guan)察指针偏转情况,万(wan)用(yong)表指针会向(xiang)左(zuo)或向(xiang)右摆动(dong)(dong)(多数场效(xiao)应(ying)管(guan)的Rg,会增大,表针向(xiang)左(zuo)摆动(dong)(dong);少数场效(xiao)应(ying)管(guan)的RSD会减小(xiao),表针向(xiang)右摆动(dong)(dong))。

(4)判(pan)断:只要表针(zhen)有较(jiao)大幅度的(de)摆(bai)动(dong),即说明被测管有较(jiao)大的(de)放大能力。

MOS管来说,为(wei)防止栅极(ji)击(ji)穿,一般(ban)测(ce)量前(qian)先在(zai)其G-S极(ji)间接一只几(ji)兆欧的大电(dian)阻,然后按上述方(fang)法测(ce)量。


4.电(dian)压(ya)测(ce)量法(fa)检测(ce)放大能力(以N沟道(dao)场(chang)效(xiao)应晶体管为(wei)例)

如(ru)图(tu)6-7所示(shi)(shi),将万(wan)用(yong)(yong)表(biao)置(zhi)于(yu))OV直流(liu)电(dian)(dian)压挡,表(biao)红笔(bi)接(jie)漏极(ji)D,黑表(biao)笔(bi)接(jie)源极(ji)S。调节(jie)电(dian)(dian)位器RP,看万(wan)用(yong)(yong)表(biao)指示(shi)(shi)的(de)电(dian)(dian)压值是否(fou)变(bian)化。在(zai)(zai)调节(jie)RP过程(cheng)中,万(wan)用(yong)(yong)表(biao)指示(shi)(shi)的(de)电(dian)(dian)压值变(bian)化越大(da),则说明该(gai)管(guan)的(de)放(fang)大(da)能(neng)力越强。若在(zai)(zai)调节(jie)RP时,万(wan)用(yong)(yong)表(biao)的(de)指针(zhen)变(bian)化不大(da),则说明该(gai)管(guan)的(de)放(fang)大(da)能(neng)力很小或已失去放(fang)大(da)能(neng)力。


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