KIA半导体推出超结(jie)场(chang)效(xiao)应(ying)管(Super Junction MOSFET)
信息来源：本站 日期：2016-03-19
采用先(xian)进(jin)的(de)耐(nai)压(ya)原理和优化的(de)设(she)计结(jie)构,全新600～900V SJ-MOS Ⅱ系(xi)列产品为系(xi)统(tong)应用提供(gong)充(chong)足(zu)的(de)耐(nai)压(ya)余量，简化系(xi)统(tong)设(she)计难度，提高系(xi)统(tong)可靠性(xing)，满足(zu)客(ke)户对(dui)高耐(nai)压(ya)、低(di)导(dao)通电阻和高效(xiao)率(lv)超结(jie)MOSFET的(de)需求。
特性：
- 更高的(de)耐(nai)压为系统设计(ji)和应(ying)用提供(gong)更充足的(de)余量(liang)
- 更低的导(dao)通电阻，利于(yu)降低导(dao)通损耗
- 极低的(de)栅(zha)极电荷，提供更快的(de)开关速度
- 同规格(ge)下更(geng)小(xiao)的(de)封装体积，使(shi)系统更(geng)轻便
- 100% 雪崩能力测(ce)试，确保产品(pin)质量可靠
应用领(ling)域：
- 正激电路
- 准谐振反激电路
- 适配器
- 太阳能逆变器
- 工业(ye)整流
联系方式：邹(zou)先(xian)生
联(lian)系电话(hua)：0755-83888366-8022
手机：18123972950
QQ：2880195519
联(lian)系地址(zhi)：深圳(zhen)市福(fu)田(tian)区车公庙(miao)天安数码城天吉大厦CD座5C1
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