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KIA半导体推出碳化(hua)硅二极管(SiC diode)

信息来源:KIA半导体 日期:2016-03-19 

分(fen)享到(dao):

为(wei)了(le)满足严(yan)格的(de)最新效(xiao)(xiao)率(lv)规范(fan)(能源(yuan)之星、80Plus、欧洲能源(yuan)效(xiao)(xiao)率(lv))的(de)要求,电(dian)源(yuan)设(she)计者必(bi)须考虑使用新型(xing)功(gong)率(lv)转换器(qi)拓扑(pu)和效(xiao)(xiao)率(lv)更(geng)高的(de)电(dian)子元(yuan)件(jian),例如(ru)高压碳化(hua)硅(SiC)二极管(guan)。

KIA半导(dao)体的SiC二极管利(li)用了碳化硅(gui)出色的物理特(te)性,其动态反向(xiang)恢复(fu)特(te)性比硅(gui)好4倍、正(zheng)向(xiang)导(dao)通电压VF比它低15%。


在(zai)硬开关(guan)应用中,比(bi)如高端服务器和通讯电源(yuan),SiC肖(xiao)特基(ji)二极管(guan)大(da)幅降低了功率损(sun)耗,并且得到了广(guang)泛使用。它们还越来(lai)越多地(di)被(bei)应用到太阳能逆变器、电机驱(qu)动器、不间断(duan)电源(yuan)(UPS)和电动车(che)(EV)之中。


KIA半导(dao)体(ti)推出了全套SiC二极管,其电压范围为(wei)600 ~ 1700 V。这些产品提供多种封装选项,让设计者能够灵活提高(gao)效率(lv)和可靠性(xing),加快产品面市步伐,削减成本。



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