KIA半导体推出超结场(chang)效应管(Super Junction MOSFET)
信息来源：本站(zhan) 日期：2016-03-19
采用(yong)先进(jin)的(de)(de)耐(nai)压(ya)原理和(he)优化的(de)(de)设(she)计(ji)结(jie)构,全新600～900V SJ-MOS Ⅱ系(xi)(xi)列产品为系(xi)(xi)统(tong)(tong)应用(yong)提供充足(zu)的(de)(de)耐(nai)压(ya)余(yu)量(liang)，简(jian)化系(xi)(xi)统(tong)(tong)设(she)计(ji)难度，提高(gao)系(xi)(xi)统(tong)(tong)可靠性，满足(zu)客户(hu)对高(gao)耐(nai)压(ya)、低导通电(dian)阻和(he)高(gao)效(xiao)率超结(jie)MOSFET的(de)(de)需(xu)求(qiu)。
特性：
- 更高的耐压(ya)为(wei)系(xi)统(tong)设计和应用提供更充足的余量(liang)
- 更低的(de)导(dao)通电(dian)阻，利(li)于降低导(dao)通损耗
- 极低的(de)栅极电荷，提供更快的(de)开关速度(du)
- 同规格(ge)下(xia)更小(xiao)的(de)封装(zhuang)体(ti)积(ji)，使系统更轻便
- 100% 雪崩能力测试，确保产品质(zhi)量可靠
应用领域(yu)：
- 正激电路
- 准谐振反激电路
- 适配器
- 太阳能逆变器
- 工业整流
联系方式：邹先生
联(lian)系电话：0755-83888366-8022
手机(ji)：18123972950
QQ：2880195519
联系(xi)地址：深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦(sha)CD座(zuo)5C1
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