双栅(zha)mos管(guan)场效应管(guan)及基(ji)本特征
信(xin)息来源：本站(zhan) 日(ri)期：2017-07-27
DGMOSFET（Dual gate MOSFET，双栅极MOSFET）是一种有两个栅极的四端器件，两个MOS管栅极都可以对沟道进行控制，目的是为了控制的便利性与独立性，尤其是有两个控制量的时候，就像一个水池装两个水龙头，可以更加方便地控制流量。
双栅极MOSFET大都是小功率产品，主要用于无线电接收机的混频级，两个栅极分别进行增益控制（高频放大）和混频（本振输入）或者变频（频率变换）。
因为有(you)两个栅极(ji)，普通(tong)MSOFET的沟道长度就(jiu)显得有(you)些(xie)短，FinFET(双翼栅FET)就(jiu)是(shi)专门针对双栅极(ji)MOSFET而设计了比较长的沟道（图1.27）。
为了进(jin)一步减少两(liang)(liang)个栅极之(zhi)间(jian)(jian)相互的干(gan)扰，PSDG(Planar Split Dual Gate，平面(mian)分离栅)MOSFET成运(yun)而生，在加长沟道的基础上，两(liang)(liang)个栅极之(zhi)间(jian)(jian)增加厂隔(ge)离区（带），很像两个共用源极和漏极的MOSFET。
因(yin)此(ci)，虽然(ran)DGMOSFET、FinFFT、PSDG MOSFET在(zai)概念(nian)和具体(ti)工艺结(jie)构上均(jun)有区别，不过(guo)在(zai)工程实践上，区别并不大，新型产品以PSDG MOSFET居多。在(zai)概念(nian)范畴上，DGMOSFET可以视为(wei)FinFET、PSDG MOSFET的(de)统称：，
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