半导体MOSFET和MESFET有(you)什么区别，基本原理是(shi)什么？
信息来(lai)源(yuan)：本站 日期：2017-07-27
MESFET并不是MOSFET的笔误，而是另一种功率JFET，它是“Metal-Semiconductor Field-Effect Transistor”的缩写，大致含义是“金属—半导(dao)体场效应(ying)管”。
MOSFET采(cai)用横(heng)向双扩散结构(gou)(IDMOS)来兼(jian)顾工作频率与(yu)功率的(de)(de)要求，MESFET则(ze)采(cai)用肖特(te)基(ji)(ji)势(shi)垒(lei)栅(zha)极(ji)(Schottky Gate FET)结构(gou)（图1.24）。就PN结的(de)(de)特(te)性而言，与(yu)肖特(te)基(ji)(ji)二极(ji)管(guan)并(bing)无本(ben)(ben)质上(shang)的(de)(de)区别。众(zhong)所周知，肖特(te)基(ji)(ji)势(shi)垒(lei)的(de)(de)基(ji)(ji)本(ben)(ben)结构(gou)就是“Metal-Semiconductor”（金(jin)属-半导体(ti)），MESFET也是由此得名。虽(sui)然都(dou)是横(heng)向沟道(dao)，但是MESFET的(de)(de)沟道(dao)更短。
MESFET的肖(xiao)特基势垒栅极通常(chang)采(cai)用(yong)的材料为GaAs(Gallium Arsenide，砷(shen)化(hua)镓)，新一代半导(dao)体材料InP（Indium Phosphide，磷化(hua)铟）和SiC( SiliconCarbide,碳(tan)化(hua)硅)也开始有应用(yong)。
从工作模式来看，MESFET也有增强型与耗尽型之分，这一点与MOSFET是相近的，其实，它的肖特基势垒栅极与MOS栅极也是有相似之处的。
MESFET主要(yao)作为功率微波器件用在(zai)“固态”发射机上，工作频(pin)率可(ke)达(da)45GHz以上，比JFET和MOSFET都要(yao)高(gao)。
