双栅(zha)mos管(guan)(guan)场(chang)效应(ying)管(guan)(guan)及(ji)基本特(te)征
信(xin)息(xi)来源：本(ben)站 日期：2017-07-27
DGMOSFET（Dual gate MOSFET，双栅极MOSFET）是一种有两个栅极的四端器件，两个MOS管栅极都可以对沟道进行控制，目的是为了控制的便利性与独立性，尤其是有两个控制量的时候，就像一个水池装两个水龙头，可以更加方便地控制流量。
双栅极MOSFET大都是小功率产品，主要用于无线电接收机的混频级，两个栅极分别进行增益控制（高频放大）和混频（本振输入）或者变频（频率变换）。
因为有(you)两个(ge)栅极，普通(tong)MSOFET的沟道长度就显得有(you)些短(duan)，FinFET(双(shuang)翼栅FET)就是专门针对双(shuang)栅极MOSFET而设计了比较长的沟道（图1.27）。
为(wei)了(le)进一步减少两个(ge)栅极之间相互的干(gan)扰(rao)，PSDG(Planar Split Dual Gate，平面分离栅)MOSFET成运而生，在加长沟道的基础上，两个(ge)栅极之间增加厂隔离(li)区(qu)（带(dai)），很像两个共用源极(ji)和漏极(ji)的MOSFET。
因(yin)此，虽然DGMOSFET、FinFFT、PSDG MOSFET在(zai)概(gai)念和具(ju)体工(gong)艺结构上均有区别，不过在(zai)工(gong)程实践上，区别并不大，新型产品以(yi)(yi)PSDG MOSFET居多。在(zai)概(gai)念范畴上，DGMOSFET可以(yi)(yi)视为FinFET、PSDG MOSFET的统称：，
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