单片开关电源的基本原理(li)
信息来源:本站 日期:2017-05-20
单片开关电源的(de)基(ji)本原(yuan)理
单片MOS开关电源的(de)(de)典型应用(yong)电(dian)路如图1-13所示。由(you)于单端反激式(shi)开(kai)(kai)关电(dian)源电(dian)路简(jian)单、所用(yong)元件少,输(shu)(shu)出(chu)与(yu)(yu)输(shu)(shu)人间有电(dian)气隔离(li)(li),能(neng)方便(bian)地实现多路输(shu)(shu)出(chu),开(kai)(kai)关管(guan)驱动简(jian)单,所以该电(dian)源便(bian)采(cai)用(yong)了(le)单端反激式(shi)拓扑结构(gou)。由(you)图1-13可(ke)知,高(gao)(gao)频(pin)(pin)变压(ya)(ya)器(qi)初级(ji)(ji)绕组NP的(de)(de)极(ji)性(xing)与(yu)(yu)次级(ji)(ji)绕组反馈绕组NF的(de)(de)极(ji)性(xing)相反。当导(dao)(dao)通时,次级(ji)(ji)整(zheng)流(liu)管(guan)VD2截止(zhi),此时电(dian)能(neng)以磁能(neng)量(liang)(liang)形式(shi)存储在(zai)(zai)初级(ji)(ji)绕组中(zhong);当截止(zhi)时,VD2导(dao)(dao)通,能(neng)量(liang)(liang)传输(shu)(shu)给次级(ji)(ji)。高(gao)(gao)频(pin)(pin)变压(ya)(ya)器(qi)在(zai)(zai)电(dian)路中(zhong)兼有能(neng)量(liang)(liang)存储、隔离(li)(li)输(shu)(shu)出(chu)和(he)电(dian)压(ya)(ya)变换三大功能(neng)。 在(zai)(zai)图l-13中(zhong),BR整(zheng)流(liu)桥(qiao),CIN为输(shu)(shu)入(ru)端滤波电(dian)容,为输(shu)(shu)出(chu)滤波电(dian)容。交(jiao)流(liu)电(dian)压(ya)(ya)UAC经过整(zheng)流(liu)滤波后得到直(zhi)流(liu)高(gao)(gao)压(ya)(ya)U1,经高(gao)(gao)频(pin)(pin)变压(ya)(ya)器(qi)的(de)(de)初级(ji)(ji)绕组加(jia)至的(de)(de)漏(lou)极(ji)上(shang)。在(zai)(zai)MOS关断瞬间,高(gao)(gao)频(pin)(pin)变压(ya)(ya)器(qi)的(de)(de)漏(lou)感会产(chan)生尖(jian)峰电(dian)压(ya)(ya)。另外,其(qi)在(zai)(zai)初级(ji)(ji)饶组上(shang)还会产(chan)生感应电(dian)压(ya)(ya)(其(qi)反向电(dian)动势(shi))uoR,两者叠加(jia)在(zai)(zai)直(zhi)流(liu)输(shu)(shu)入(ru)电(dian)压(ya)(ya)Ul上(shang),加(jia)至内MOSFET的(de)(de)漏(lou)极(ji)上(shang),因(yin)此,必须在(zai)(zai)漏(lou)极(ji)增(zeng)位保护(hu)电(dian)路。钳位保护(hu)电(dian)路由(you)瞬态电(dian)压(ya)(ya)抑制器(qi)或(huo)稳压(ya)(ya)二(er)极(ji)管(guan)VXz,阻塞(sai)
二极管VD1组成,VD1宜采用超(chao)快(kuai)恢复(fu)二(er)极管。当MOS导通时,变(bian)(bian)压(ya)器的初级极性为上正(zheng)下负(fu),从而(er)导致VD1截(jie)止,因(yin)而(er)钳(qian)位(wei)保护电路不(bu)起(qi)作用。在MOS截(jie)止瞬间,变(bian)(bian)压(ya)器的初级极性则变(bian)(bian)为F_负(fu)下正(zheng),此时尖峰电压(ya)就被VDZ1吸(xi)收掉(diao)。
该电源的稳压原理简述如下:反馈绕组电压经过整流滤波后获得反馈电压,经光耦合器中的光敏三极管给TOPSwitch的控制端提供偏压。CT是控制端c的旁路电容。设稳压二极管vDZ2的稳定电压为Uz2,限流电阻lt.两端的压降为uR.光耦合器由LED发光二极管的正向压降为uF则输出电压UO可表示为Uo=Un+Z2+UR当由于某种原因(如交流电压升高或负载变轻)致使Uo升高时,因Uz2不变,则uF就随之升高,使LED的工作电流,增大,再通过光耦合器使的控制端电流LC增大,但因输出占空比D与lc量反比,故D减小,这就迫使UO降低,从而达到了稳压目的。反(fan)(fan)之,同样(yang)起到(dao)稳(wen)压作(zuo)用。由此可(ke)见,反(fan)(fan)馈电路(lu)是通过(guo)调占(zhan)空比,使输出电压趋于稳(wen)定的(de)。
联系方式:邹(zou)先生
手机:18123972950
QQ:2880195519
联系地址:深圳市福(fu)田区车公庙天安数(shu)码城天吉大厦CD座5C1
关注KIA半导体工程专(zhuan)辑请搜微(wei)信号:“KIA半导体”或(huo)点击本文下方(fang)图(tu)片扫(sao)一(yi)扫(sao)进入(ru)官方(fang)微(wei)信“关注”
长按二维码识别关注