半导(dao)体MOSFET和MESFET有什么区(qu)别，基本原理是什么？
信息来源：本站 日期：2017-07-27
MESFET并不是MOSFET的笔误，而是另一种功率JFET，它是“Metal-Semiconductor Field-Effect Transistor”的缩写，大致含义是“金属—半导体(ti)场效应管”。
MOSFET采用(yong)(yong)横向双扩散结(jie)构(gou)(IDMOS)来兼顾工作频率与(yu)功率的(de)要求，MESFET则采用(yong)(yong)肖(xiao)特基(ji)势垒栅极(ji)(ji)(Schottky Gate FET)结(jie)构(gou)（图1.24）。就PN结(jie)的(de)特性而言，与(yu)肖(xiao)特基(ji)二极(ji)(ji)管并无本质上的(de)区别。众所周(zhou)知，肖(xiao)特基(ji)势垒的(de)基(ji)本结(jie)构(gou)就是(shi)(shi)“Metal-Semiconductor”（金属-半导体），MESFET也是(shi)(shi)由此得名(ming)。虽然(ran)都是(shi)(shi)横向沟道，但(dan)是(shi)(shi)MESFET的(de)沟道更短。
MESFET的(de)肖特基势垒栅极通常采用的(de)材料为GaAs(Gallium Arsenide，砷化(hua)(hua)镓)，新一代(dai)半(ban)导体材料InP（Indium Phosphide，磷化(hua)(hua)铟）和(he)SiC( SiliconCarbide,碳化(hua)(hua)硅)也开始有(you)应(ying)用。
从工作模式来看，MESFET也有增强型与耗尽型之分，这一点与MOSFET是相近的，其实，它的肖特基势垒栅极与MOS栅极也是有相似之处的。
MESFET主(zhu)要作为功(gong)率微波器件(jian)用在“固态(tai)”发射机上(shang)，工作频率可达(da)45GHz以上(shang)，比JFET和MOSFET都要高。
