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体二极管的技术参数VSD、Is、trr、Qrr、ISM、IRRM

早期的功率MOSFET常常会由于漏-源极的电流或者电压的变化速率太快而失控，或者形成漏-源极的击穿损坏。而在大功率的高速开关电路中，纯阻性负载是很少见的，即便外部负载是纯阻性的，电路的散布参数、VMOS本身的散布参数在VMOS高速开关期间，也会有时间很短但是速度很快的电压/电流变化现象。形成MOSFET易损的缘由是内部寄生的NPN晶体管在作祟。

以双扩散厂艺为代表的MOSFET消费工艺，缩短了N+源区，同时增加了P+基区，寄生的NPN晶体管被根本上抑止掉了，转而为一个PN结所替代，这就是寄生二极管（体二极管）。

但是体二极管的开关速度常常并不够快，在低速开关电路中，体二极管是很好用的续流二极管，可以有效地维护VMOS，但是在高速电路中，常常需求—个开关速度更快的二极管（如肖特基二极管）与之并联，以免由于体二极管来不及翻开形成灾难性的结果（失控或者损坏）。这无疑会增加电路本钱。

因而体二极管的性能关于VMOS而言，也是相当重要的，特别是高速开关电路中，它的性能决议了你能否需求额外增加开关速度更高的续流二极管。

体二极管的技术参数的意义如下。

源极(ji)(ji)(ji)连续(xu)电(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)(liu)，漏极(ji)(ji)(ji)与源极(ji)(ji)(ji)间的(de)(de)(de)体二极(ji)(ji)(ji)管(guan)的(de)(de)(de)最(zui)大正(zheng)向连续(xu)电(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)(liu)，也写作IDR，意义(yi)是（漏极(ji)(ji)(ji)连续(xu)反向电(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)(liu)）。手(shou)册普(pu)通(tong)给(ji)出的(de)(de)(de)是最(zui)大值，这(zhei)个参数表(biao)征的(de)(de)(de)是在(zai)VMOS关断、体二  极(ji)(ji)(ji)管(guan)开通(tong)时(shi)能接受的(de)(de)(de)最(zui)大电(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)(liu)，电(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)(liu)方(fang)向与漏极(ji)(ji)(ji)电(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)(liu)相反，以不超越管(guan)芯的(de)(de)(de)结温(wen)为(wei)限。假如(ru)仅仅表(biao)示体二极(ji)(ji)(ji)管(guan)的(de)(de)(de)正(zheng)向续(xu)流(liu)(liu)(liu)(liu)电(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)(liu)而不是最(zui)大值时(shi)，普(pu)通(tong)用(yong)IF表(biao)示；不过(guo)，在(zai)一些老产(chan)品的(de)(de)(de)技术手(shou)册中，IF也表(biao)示续(xu)流(liu)(liu)(liu)(liu)电(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)(liu)的(de)(de)(de)最(zui)大值。

IS是体二极管的电流规格，普通与VMOS的电流规格相同。因而，在紧急状况下，将源极与栅极短接起来，VMOS能够充任大电流的快恢复二极管运用。

体二极管正向压降，漏极与源极间的体二极管的正向压降，也写作（体二极管）正向压降和VF，体二极管正向压降）。VSD的是在VMOS关断、体二极管开通时，给定Is条件下，体二极管的导通压降。手册普通给出的是最大值，数值在1V左右。

源极脉冲电流（体二极管），漏极与源极间的体二极管的最大正向脉冲电流，也写作IDRP，意义是（漏极反向脉冲电流）。这个参数表征的是体二极管抗单次电流冲击的极限才能，手册普通给出的是最大值，数值上与VMOS的IDM相同。

（体二掇管）反向恢复电流，也写作Irr。这个参数表征的是体二极管关断时的结电容的充电电流。正导游通的体二极管作为续流二极管运用时，续流电流也会同时给体二极管的结电容充电，续流完毕后，体二极管并不会马上关断，这是由于结电容所存储电荷的释放而构成与续流电流方向相反的“恢复”电流，这个反向恢复电流的方向与VMOS开通时的漏极电流的方向则是相同的，从而会增加VMOs的漏极功耗。IRRM是一个疾速变化的量，技术手册普通给出的是峰值，不是一切的技术手册都给出这个参数值。

（体二极管）反向恢复时间。这个参数表征的是体二极管的结电容的电荷泄放时间，也就是IRRM的存续时间。

目(mu)前依(yi)据二(er)(er)极(ji)(ji)管(guan)(guan)(guan)(guan)的(de)反(fan)向恢复(fu)时间对功率(lv)二(er)(er)极(ji)(ji)管(guan)(guan)(guan)(guan)的(de)分类，普(pu)通(tong)二(er)(er)极(ji)(ji)管(guan)(guan)(guan)(guan)的(de)trr>500ns:trr在(zai)300一500ns之间为(wei)(wei)快速二(er)(er)极(ji)(ji)管(guan)(guan)(guan)(guan)；trr在(zai)100～300ns为(wei)(wei)快恢复(fu)二(er)(er)极(ji)(ji)管(guan)(guan)(guan)(guan)；trr在(zai)50-100ns为(wei)(wei)超(chao)快恢复(fu)二(er)(er)极(ji)(ji)管(guan)(guan)(guan)(guan)；trr<10ns为(wei)(wei)肖特(te)基二(er)(er)极(ji)(ji)管(guan)(guan)(guan)(guan)，如今有一些超(chao)快恢复(fu)二(er)(er)极(ji)(ji)管(guan)(guan)(guan)(guan)的(de)trr在(zai)20一50ns之间。小(xiao)功率(lv)开关二(er)(er)极(ji)(ji)管(guan)(guan)(guan)(guan)的(de)trr般也小(xiao)于20ns。

（体二极(ji)管）反向(xiang)恢复电(dian)荷。这个参(can)数(shu)表征(zheng)的(de)是体二极(ji)管的(de)结(jie)电(dian)容在止(zhi)向(xiang)开通期间所(suo)存储(chu)的(de)电(dian)荷，相当于(yu)体二极(ji)管的(de)结(jie)电(dian)容所(suo)存储(chu)的(de)能(neng)量。

一(yi)些(xie)产(chan)品(pin)的技术手册还会给出体二极管的反(fan)向恢(hui)复时间(jian)(jian)的降(jiang)落时间(jian)(jian)(ta)、上升时间(jian)(jian)(tb)，普通而(er)言，ta>tb。

上述诸参数能够在体二极管的电流波形上直观地表现出来（图3. 21）。

技(ji)术手册在(zai)给出体(ti)二(er)极管的(de)(de)(de)技(ji)术参数时(shi)(shi)，测试条件(jian)中会(hui)有图3。21中的(de)(de)(de)di/dt参数，在(zai)给出的(de)(de)(de)曲线(xian)图中，有时(shi)(shi)会(hui)采用dif/dt，由于反向(xiang)恢(hui)(hui)复电(dian)流的(de)(de)(de)—卜升速率更快，因而更有代(dai)表性。二(er)者对(dui)Irr、trr、Qrr均有明显影响，对(dui)IRRM、Qrr影响是(shi)(shi)(shi)正(zheng)向(xiang)的(de)(de)(de)，对(dui)trr的(de)(de)(de)影响则(ze)是(shi)(shi)(shi)反向(xiang)的(de)(de)(de)。图3. 22是(shi)(shi)(shi)IRF3207的(de)(de)(de)技(ji)术手册中给出的(de)(de)(de)波(bo)形图，VR表示体(ti)二(er)极管两(liang)端的(de)(de)(de)最人反向(xiang)恢(hui)(hui)复电(dian)压。