利盈娱乐(中国)创新平台有限公司

半导体kia器件存(cun)(cun)(cun)储(chu)(chu)(chu)器(qi)(qi)(qi)可(ke)区分为(wei)(wei)挥发(fa)(fa)性与(yu)非(fei)挥发(fa)(fa)件性存(cun)(cun)(cun)储(chu)(chu)(chu)器(qi)(qi)(qi)两类．挥发(fa)(fa)性存(cun)(cun)(cun)储(chu)(chu)(chu)器(qi)(qi)(qi)，如(ru)动(dong)(dong)态(tai)随机存(cun)(cun)(cun)储(chu)(chu)(chu)器(qi)(qi)(qi)和静态(tai)随机存(cun)(cun)(cun)储(chu)(chu)(chu)器(qi)(qi)(qi)，若其电源(yuan)供应(ying)关闭(bi)(bi)，将会丧失(shi)所储(chu)(chu)(chu)存(cun)(cun)(cun)的(de)信息，相比之下，非(fei)挥发(fa)(fa)性存(cun)(cun)(cun)储(chu)(chu)(chu)器(qi)(qi)(qi)却(que)能在电源(yuan)供应(ying)关闭(bi)(bi)时保(bao)留所储(chu)(chu)(chu)存(cun)(cun)(cun)的(de)信息，目(mu)前，DRAM与(yu)SRAM被(bei)广(guang)泛地使用(yong)于(yu)(yu)个人(ren)电脑(nao)以(yi)及(ji)工作(zuo)站，主要归因于(yu)(yu)DRAM的(de)高密度(du)与(yu)低(di)价格(ge)以(yi)及(ji)SRAM的(de)高速(su)，非(fei)挥发(fa)(fa)性存(cun)(cun)(cun)储(chu)(chu)(chu)器(qi)(qi)(qi)则广(guang)泛应(ying)用(yong)于(yu)(yu)如(ru)移动(dong)(dong)电活(huo)、数码相机及(ji)智能IC卡等便携式的(de)电子系统中，主要是因为(wei)(wei)它提供低(di)功率(lv)损耗及(ji)非(fei)挥发(fa)(fa)性的(de)能力．

DRAM

近代的DRAM技术使用如图6.39所示[16]的存储单元阵列，存储单元含有一个MOSFET以(yi)及一个MOS电(dian)容(rong)器(qi)（即l晶体(ti)管／1电(dian)容(rong)器(qi)或(huo)1T、C存(cun)(cun)(cun)(cun)储(chu)单(dan)元(yuan)）．MOSFET的(de)(de)作(zuo)用就如(ru)同一个开(kai)关(guan)，用来控制存(cun)(cun)(cun)(cun)储(chu)单(dan)元(yuan)写(xie)入、更新以(yi)及读出的(de)(de)操作(zuo)，电(dian)容(rong)器(qi)则作(zuo)为(wei)(wei)电(dian)荷储(chu)存(cun)(cun)(cun)(cun)之用．在(zai)(zai)写(xie)入周期中(zhong)(zhong)，MOSFET导通(tong)，因此位线中(zhong)(zhong)的(de)(de)逻(luo)辑(ji)状态(tai)(tai)可转移至储(chu)存(cun)(cun)(cun)(cun)电(dian)容(rong)器(qi)之中(zhong)(zhong)．在(zai)(zai)实 际(ji)应用上，由(you)于储(chu)存(cun)(cun)(cun)(cun)端有虽小但(dan)不可忽略的(de)(de)漏电(dian)流，使得储(chu)存(cun)(cun)(cun)(cun)于电(dian)容(rong)器(qi)中(zhong)(zhong)的(de)(de)电(dian)荷会逐渐(jian)地流失．因此，DRAM的(de)(de)工作(zuo)是(shi)“动(dong)态(tai)(tai)”的(de)(de)，因为(wei)(wei)其信息需(xu)要周期性(一般(ban)为(wei)(wei)2ms～50ms)地重新更

新．

1T/1C DRAM存储单元的优点在于其结构非常简单且面积小，为了增加KIA芯片中的(de)(de)存(cun)(cun)储(chu)密度，按(an)比例(li)缩小存(cun)(cun)储(chu)单元(yuan)的(de)(de)尺寸是必须的(de)(de)：然而由(you)于：电(dian)容(rong)器电(dian)极面积(ji)也会随之(zhi)缩减，因而降低了(le)电(dian)容(rong)器的(de)(de)储(chu)存(cun)(cun)能力，为了(le)解(jie)决这一(yi)问题(ti)，需(xu)要借助三维空间(3-D)结构的(de)(de)电(dian)容(rong)器，一(yi)些(xie)先进的(de)(de)3-D电(dian)容(rong)器将(jiang)于第14章(zhang)中加(jia)以讨(tao)论．利用高介电(dian)常数(shu)的(de)(de)材(cai)料米取代传统的(de)(de)氧化物-氮(dan)化物复(fu)合(he)材(cai)料（介电(dian)系数(shu)为4-6）作为电(dian)容(rong)器的(de)(de)介电(dian)材(cai)料，可(ke)增加(jia)其电(dian)容(rong)值．

SRAM

SRAM是使用一双稳态的触发器结构来储存逻辑状态的静态存储单元阵列，如图6. 40所示，触发器结构包含了两个相互交叉的CMOS反(fan)(fan)相(xiang)器对(T1、T3以及(ji)T2、T4)．反(fan)(fan)相(xiang)器的(de)(de)输出端连接至另一个反(fan)(fan)相(xiang)器的(de)(de)输入端，此结构称为“锁存(cun)器”. T1与(yu)Tc这两个额外的(de)(de)n沟(gou)(gou)道(dao)MoSFET的(de)(de)栅极连接至字线，以用(yong)(yong)来(lai)读取(qu)该SRAM存(cun)储单(dan)元(yuan)．因(yin)(yin)为只要(yao)电源持(chi)续供给，则其逻辑(ji)状态(tai)将维持(chi)不变(bian)，故SRAM的(de)(de)工作(zuo)是。静态(tai)的(de)(de)，因(yin)(yin)此SRAM不需要(yao)被更新(xin)，反(fan)(fan)相(xiang)器中(zhong)两个p沟(gou)(gou)道(dao)MOSFET( T1与(yu)T2)的(de)(de)作(zuo)用(yong)(yong)，就(jiu)如同负载(zai)晶(jing)(jing)体管一般．除了在(zai)开关的(de)(de)过程中(zhong)，几乎并没有(you)电流(liu)流(liu)过存(cun)储单(dan)元(yuan)，在(zai)某些情况(kuang)下，p沟(gou)(gou)道(dao)多(duo)晶(jing)(jing)硅TFT或多(duo)晶(jing)(jing)硅电阻可(ke)用(yong)(yong)来(lai)取(qu)代本(ben)体p沟(gou)(gou)道(dao)MOSFET．这些多(duo)晶(jing)(jing)硅的(de)(de)负载(zai)器件可(ke)以制作(zuo)在(zai)本(ben)体n沟(gou)(gou)道(dao)MOSFET的(de)(de)上方，因(yin)(yin)此3—D的(de)(de)集成(cheng)化可(ke)有(you)效地减(jian)少存(cun)储单(dan)元(yuan)面积，进(jin)而增加芯片(pian)的(de)(de)储存(cun)密(mi)度．

联系(xi)方式(shi)：邹先生

联(lian)系电(dian)话(hua)：0755-83888366-8022

手机：18123972950

QQ：2880195519

联系(xi)地址(zhi)：深(shen)圳市福(fu)田(tian)区车公庙天安(an)数码城天吉(ji)大厦CD座5C1

关注(zhu)KIA半(ban)导(dao)(dao)体工程专(zhuan)辑请(qing)搜(sou)微信号:“KIA半(ban)导(dao)(dao)体”或点击本(ben)文下方图(tu)片扫一扫进入官方微信“关注(zhu)”

长(zhang)按二维码识别关注