MOS晶体管的源极与(yu)基底(di)是(shi)等(deng)电位 n沟(gou)MOS晶体管加(jia)偏置电压会(hui)发生什么状况
信息来源：本站 日(ri)期：2017-08-10
当源极(ji)-基底(di)间加偏置时，阈(yu)值(zhi)电压变(bian)化(hua)
在很多，隋况下，MOS晶体管的源极与基底是等电位的。其结果，使图1.31中基底（衬底或者阱）与沟道间的pn结处于零偏置。当源极—基底间加反向（或者正向）偏置电压VSB时，MOS晶体管的阈值电压就会发作变化。
如今讨(tao)论图1. 32示出的n沟MOS晶体管加偏置电压(VSB>O)时的状况。
反(fan)向偏置电压(ya)VSB会使沟道(dao)(dao)下的(de)耗(hao)尽(jin)层(ceng)(ceng)扩展。由于耗(hao)尽(jin)层(ceng)(ceng)的(de)扩展，耗(hao)尽(jin)层(ceng)(ceng)的(de)负电离(li)子数(shu)增加，而沟道(dao)(dao)区的(de)电子数(shu)目(mu)相应地减少(shao)，使得(de)与多晶硅(gui)栅(zha)中的(de)正电荷(he)坚(jian)持均衡。由于沟道(dao)(dao)区电子数(shu)目(mu)的(de)减少(shao)，招致沟道(dao)(dao)的(de)厚度变薄。
为了使沟道恢复到原来的(de)厚度，必需加更大的(de)栅(zha)极(ji)—源极(ji)间电(dian)压(ya)YGS。其(qi)结果，这个反向偏置电(dian)压(ya)Vs。招致(zhi)了阈值电(dian)压(ya)的(de)上升。
这种(zhong)由于源极—基底(di)间电(dian)压VSB招(zhao)致(zhi)阈值(zhi)电(dian)压发(fa)作变化的(de)现象，称为衬底(di)偏置(zhi)效应(ying)(ying)(body effect)或者背栅效应(ying)(ying)(back-gate effect)。
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