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MOS的集(ji)成 :CMOS，BiCMOS/BiMOS,HV-CMOS

CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Transistor，互补型金属氧化物半导体)器件是目前(qian)比拟成熟的(de)半(ban)导休集成下艺之(zhi)一(yi)，能够了解为集成电路(lu)中的(de)横向构造MOSFET，为了进(jin)步开关速度，降低功耗(hao)，采用(yong)一(yi)个(ge)N沟道(dao)(NMOS)和一(yi)个(ge)P沟道(dao)(PMOS)的(de)互补(bu)(bu)构造作为一(yi)个(ge)MOSFET来运用(yong)(图1. 30)。CMOS的(de)这种(zhong)构造互补(bu)(bu)构造组成的(de)电路(lu)方(fang)式在集成电路(lu)中应用(yong)比拟广泛(fan)，也(ye)(ye)不只限于FET，BJT也(ye)(ye)能够，这种(zhong)电路(lu)方(fang)式也(ye)(ye)称(cheng)为图腾柱。与CMOS有关的(de)公开材料相当丰厚(hou)，中文(wen)材料也(ye)(ye)是如此，这里不再赘述。

CMOS曾经普(pu)遍用于RAM和ROM中，直到目前，CMOS依然是(shi)(shi)最为省电(dian)(dian)的(de)数字逻(luo)辑电(dian)(dian)路，也被以为是(shi)(shi)最为地(di)道的(de)逻(luo)辑电(dian)(dian)路，在(zai)请求性价比(bi)的(de)应(ying)用中，Flash ROM和BiCMOS逐步(bu)取代了CMOS。换言之，在(zai)很多应(ying)用中，假如本钱不(bu)是(shi)(shi)问题，CMOS的(de)优势依然不(bu)可替(ti)代，CMOS RAM采用普(pu)通的(de)碱性电(dian)(dian)池供(gong)电(dian)(dian)叮以坚持数据(ju)长达7年左右。

BiCMOS( Bipolar CMOS)与BiMOS是(shi)同义词(ci)，是(shi)双极(ji)工(gong)艺和CMOS工(gong)艺的混血儿，这种本(ben)来是(shi)针(zhen)对(dui)双极(ji)性器(qi)件与MOS器(qi)件难以在同一(yi)芯(xin)片上(shang)集(ji)成(cheng)的混合丁艺，目前具有尤叮比较的本(ben)钱优势(shi)，并且叮以用于功率晶体管和IC的制造。

目前常用场效应管、KIAmos管的(de)功率控制IC的(de)常见工艺根本上就是上述两大(da)类：BiCMOS和HV-CMOS，本来非主流的(de)SOI( Silicon-On-Insulator，硅隔离)工艺正在开展(zhan)中(图1. 31)。

进步电(dian)压规格能够有(you)效进步控制功率(lv)，而且有(you)些器件的(de)(de)驱动确(que)实需求(qiu)比拟高的(de)(de)电(dian)压，如目前新(xin)兴的(de)(de)大屏(ping)(ping)幕(mu)FPD（Flat-Panel Displays，平板显(xian)(xian)现(xian)(xian)屏(ping)(ping)）中的(de)(de)PDP( Plasma Display Panels，等(deng)离子显(xian)(xian)现(xian)(xian)屏(ping)(ping))、FF.D( Field，F.mission Displays，场致发射显(xian)(xian)现(xian)(xian)屏(ping)(ping))、EL(Electro Luminescent Displays，电(dian)致发光显(xian)(xian)现(xian)(xian)屏(ping)(ping))等(deng)等(deng)。

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