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电压规格：VDSS、VDS、BVDSS、V(BR)DSS

VDSS中的“V”表(biao)示(shi)电(dian)压(ya)，前面的“D”、“S”表(biao)示(shi)“Drain”（漏(lou)极）与“Source”（源(yuan)(yuan)极），最(zui)后一个(ge)“s”表(biao)示(shi)“Short”（短路）。VDSS的具(ju)体含义是“Maximum Drain-SourceVoltage Rating with Gate-Source Shorted”，中文含义是“栅(zha)极与源(yuan)(yuan)极短接时，漏(lou)极与源(yuan)(yuan)极问能够承受的最(zui)大电(dian)压(ya)”。有时候也称为(wei)“零栅(zha)压(ya)最(zui)大漏(lou)源(yuan)(yuan)电(dian)压(ya)”。

—-直称(cheng)之(zhi)为“电(dian)(dian)压(ya)(ya)规格”，之(zhi)后我们还将这样称(cheng)呼(hu)它(ta)，既简单又明了，同时还给它(ta)另一个称(cheng)呼(hu)：耐压(ya)(ya)，这符(fu)合行(xing)业习惯。因为超过电(dian)(dian)压(ya)(ya)规格，VMOS就可能被(bei)击穿(chuan)损坏，因此(ci)电(dian)(dian)压(ya)(ya)规格有时候也称(cheng)为“零栅压(ya)(ya)击穿(chuan)电(dian)(dian)压(ya)(ya)”。

BVDSS（漏源击穿电压）的(de)含义虽然与VDSS略有差(cha)异，但是在数(shu)(shu)值(zhi)上一(yi)(yi)般是相同(tong)的(de)。一(yi)(yi)般技术手册中给出的(de)VDSS为额定(ding)值(zhi)，BVDSS给出的(de)是最(zui)小值(zhi)，所谓数(shu)(shu)值(zhi)相同(tong)，是VDSS的(de)额定(ding)值(zhi)与BVDSS的(de)最(zui)小值(zhi)相同(tong)。由此可以看出来，VDSSV是侧(ce)重于(yu)测量的(de)一(yi)(yi)个参数(shu)(shu)，BVDSS是侧(ce)重于(yu)电路应用的(de)参数(shu)(shu)。

VDSS、VDS的含(han)义相同，BVDSS、V(BR)DSS的含(han)义相同，只是(shi)(shi)不(bu)同制造(zao)商的应用(yong)习(xi)惯(guan)有所不(bu)同。但是(shi)(shi)VDS也常(chang)常(chang)用(yong)来(lai)表(biao)示源极与漏极之(zhi)间的实际电压(ya)而不(bu)是(shi)(shi)极限的击穿电压(ya)，因此为了避免歧义，采(cai)用(yong)的是(shi)(shi)VDSS。

很显然，VDSS表(biao)示(shi)的是(shi)VMOS在关(guan)(guan)断(duan)条件(jian)下承受正向电压的能(neng)力。在关(guan)(guan)断(duan)条件(jian)下，VMOS的栅极(ji)—源极(ji)间(jian)的偏置不外乎四种情况（图3.1）。

反(fan)向偏(pian)置(zhi)指的(de)(de)(de)是让VMOS关断(duan)(duan)程度加深(shen)的(de)(de)(de)偏(pian)置(zhi)电(dian)压(ya)(ya)，对于N沟道VMOS，显然是栅极电(dian)压(ya)(ya)低于源极电(dian)压(ya)(ya)的(de)(de)(de)情况；P沟道则(ze)相反(fan)。这种方式在高频条件(jian)下比零栅压(ya)(ya)更为(wei)可靠，在实际的(de)(de)(de)高频电(dian)路中，尤(you)其是希望(wang)VMOS迅速关断(duan)(duan)的(de)(de)(de)电(dian)路中，这种负栅压(ya)(ya)的(de)(de)(de)偏(pian)置(zhi)方法会经常出(chu)现。

旁(pang)(pang)路( Shunt)方法(fa)(fa)是希望VMOS的(de)关断不要像反向偏(pian)置(zhi)那么快(kuai)，在常态下，与零栅压是相当(dang)的(de)，未开(kai)封的(de)新模块(kuai)上常常会配置(zhi)旁(pang)(pang)路电(dian)阻(zu)(zu)，以(yi)保护模块(kuai)不会被静(jing)电(dian)击穿。在有些(xie)高速电(dian)路中(zhong)，为了减小电(dian)路中(zhong)的(de)电(dian)流变化速度，也(ye)会采用旁(pang)(pang)路栅极的(de)方法(fa)(fa)。旁(pang)(pang)路的(de)另一(yi)个(ge)作用是，使VMOS的(de)输入(ru)电(dian)阻(zu)(zu)不至于(yu)过(guo)高，有了旁(pang)(pang)路电(dian)阻(zu)(zu)，VMOS的(de)输人电(dian)阻(zu)(zu)就大致等于(yu)旁(pang)(pang)路电(dian)阻(zu)(zu)的(de)阻(zu)(zu)值。

对于VMOS而(er)言，栅(zha)(zha)极(ji)悬(xuan)空无论(lun)是(shi)何种条(tiao)件(jian)下(xia)(xia)都是(shi)应该尽量避免(mian)的(de)(de)，稍有不慎，就会导致(zhi)VMOS击穿损坏。这(zhei)时候的(de)(de)击穿一般是(shi)栅(zha)(zha)极(ji)与源(yuan)极(ji)击穿，而(er)不管(guan)源(yuan)极(ji)、漏极(ji)间的(de)(de)电(dian)压(ya)是(shi)高还是(shi)低。 除了(le)槽栅(zha)(zha)结构(gou)的(de)(de)VMOS，零(ling)栅(zha)(zha)压(ya)、反(fan)相(xiang)偏置、旁路(lu)情况(kuang)下(xia)(xia)测得(de)的(de)(de)击穿电(dian)压(ya)是(shi)大(da)致(zhi)相(xiang)等(deng)的(de)(de)；对于槽栅(zha)(zha)结构(gou)的(de)(de)VMOS，零(ling)栅(zha)(zha)压(ya)情况(kuang)下(xia)(xia)测得(de)的(de)(de)击穿电(dian)压(ya)最(zui)高。因(yin)此，VDSS表示的(de)(de)是(shi)VMOS在关(guan)断条(tiao)件(jian)下(xia)(xia)承受(shou)正向(xiang)电(dian)压(ya)的(de)(de)最(zui)高能力。

图3.1中的(de)可(ke)调电(dian)流(liu)源”指的(de)是限流(liu)电(dian)路，保证回路电(dian)流(liu)不超过某一设定值，“可(ke)调电(dian)压源”就(jiu)比(bi)较容易理解(jie)了。这两种电(dian)源符号在测试晶(jing)体管的(de)电(dian)路中会经常出现。

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