【功率金属氧化物半(ban)导体场效应晶(jing)体管】MOSFET领域(yu)是(shi)什么？
信息来(lai)源：本站 日期(qi)：2017-07-13
Power MOSFET全称为功率金属-氧化物-半导体场(chang)效应晶体管。其(qi)电(dian)气(qi)符(fu)号及根本(ben)接法如图3-25所示。
PowerMOSFET有三个极，即源极(ji)(S)、漏极(ji)(D)和栅极(ji)(G)。控制(zhi)信(xin)号“GS加于栅极(ji)和源极(ji)之(zhi)间(jian)，改动UGS的大小(xiao)，便可改动漏极(ji)电(dian)流(liu)ID的大小(xiao)。由于栅—源极(ji)之(zhi)间(jian)的阻抗(kang)十分大，因而控制(zhi)电(dian)流(liu)能(neng)够极(ji)小(xiao)，简直为0，所以驱(qu)动功率很小(xiao)。
器件(jian)内(nei)寄生有(you)反(fan)向二极管，它在变频器电路中起续流(liu)维(wei)护作用(yong)。
①最大漏极电流(liu)IDM 是(shi)允许连续(xu)运(yun)转的最大漏极电流(liu)。
②击穿电(dian)压(ya)uDs 是指漏极与源极之(zhi)(zhi)间的击穿电(dian)压(ya)，也就是指管子在截止状态下(xia)，漏极与源极之(zhi)(zhi)间的最大维持电(dian)压(ya)。
③阈值(zhi)电(dian)(dian)压(ya)(ya)UGS 是(shi)可(ke)以使MOSFET管子导通的最(zui)低栅(zha)极电(dian)(dian)压(ya)(ya)。该电(dian)(dian)压(ya)(ya)为2- 6V。实践运(yun)用时，栅(zha)极驱动电(dian)(dian)压(ya)(ya)应为(1.5-2.5)Ucs，即15v左右。
④导通电(dian)阻RON是MOSFET管(guan)(guan)子导通时，漏极与源(yuan)极之(zhi)间的电(dian)阻值(zhi)。RON决议了管(guan)(guan)子的通态损耗。导通电(dian)阻RCN有正温(wen)度系(xi)数，即(ji)电(dian)流越大，RON的值(zhi)也(ye)因附加发热而自行增(zeng)大。因而它对电(dian)流的增(zeng)加有抑止作(zuo)用。这在器件(jian)并联应用时有自动平衡(heng)电(dian)流的效果。
⑤开(kai)关(guan)(guan)频率 MOSFET的开(kai)关(guan)(guan)速度和工作频率要比GTR高1-2个数量级(ji)。普(pu)通(tong)MOSFET的开(kai)关(guan)(guan)时间为几(ji)微(wei)秒至几(ji)十微(wei)秒，最高频率可达50kHz以(yi)上。
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