场效应(ying)管主要(yao)参数是什么？电子元器件主要(yao)参数是什么？
信息来源(yuan)：本站 日期(qi)：2017-07-21
通(tong)常(chang)将刚(gang)刚(gang)形成导电(dian)沟道、出现漏极电(dian)流ID时对应的(de)栅一源(yuan)电(dian)压称为开启电(dian)压，用(yong)UGS(th)或UT表示。
开启电(dian)压UT是MOS增(zeng)强型管(guan)的(de)参数。当栅一(yi)源电(dian)压UGS小于(yu)开启电(dian)压的(de)绝对(dui)值时(shi)，场效应(ying)管(guan)不能导通。
当(dang)UDS为(wei)某一(yi)固定(ding)值(如10V)，使(shi)ID等于某一(yi)微小电(dian)流(如50mA)时，栅一(yi)源极间加的电(dian)压即为(wei)夹断电(dian)压。当(dang)UGS＝UP时，漏(lou)极电(dian)流为(wei)零。
饱和漏极电(dian)流IDSS是(shi)在UGS =0的条件下(xia)，场效应管(guan)发生(sheng)预夹断时的漏极电(dian)流。IDSS型场效应管(guan)所能(neng)输出的最大电(dian)流。
直(zhi)流输入电(dian)阻(zu)RGS是漏一源短路，栅一源加电(dian)压时栅一源极 之(zhi)间的直(zhi)流电(dian)阻(zu)。
结型场效应(ying)管：RGS》107ΩMOS管：RGS>109～1015Ω。
漏(lou)极电流的(de)(de)微变(bian)量(liang)(liang)与(yu)栅一源(yuan)(yuan)电压微变(bian)量(liang)(liang)之比，即gm＝△ID/△UGS。它是(shi)衡量(liang)(liang)场效应管栅一源(yuan)(yuan)电压对漏(lou)极电流控制能力的(de)(de)一个参数。gm相(xiang)当于三极管的(de)(de)hFE。
最大漏极功耗PD＝UDSID，相当于三极管的PCM。
联系方式：邹先生
联(lian)系(xi)电话：0755-83888366-8022
手(shou)机：18123972950
QQ：2880195519
联系(xi)地址：深圳市(shi)福田区车(che)公庙天安数码城(cheng)天吉大厦CD座5C1
关注KIA半(ban)导体工(gong)程专(zhuan)辑(ji)请搜(sou)微信号:“KIA半(ban)导体”或点(dian)击本文下方(fang)图片(pian)扫一扫进入官方(fang)微信“关注”
长按二维码识别关注
