VMOS的选择原则

(1)电压规格(V_DSS)：俗称耐压，至少应该为主绕组的3倍，需求留意的是，主绕组的电压指的是图2.6中的N2或者N3，而不是二者相加。详细而言，图中为10.5V，因而Q1、Q2的电压规格至少为31.5V，思索到10%的动摇和1.5倍的保险系数，则电压规格不应该低于31.5 X 1.1X 1.5＝52V。图中的2SK2313的电压规格为60v，契合请求。
其次，依据普通经历，电压规格超越200V的VMOS，饱和导通电阻的优势就不明显了，而本钱却比二极管高得多，电路也复杂。因而，用作同步整流时，主绕组的最高电压不应该高于40V。

(2)电流规格(In)：这个问题主要与最大耗散功率有关，由于计算办法复杂并且需求实验停止验证，因而也能够直接用理论办法进行肯定，即在实践的工作环境中，依照最极端的最高环境温度，比方夏天比拟热的温度，如35℃，依据实践所需求的工作电流，接上适宜的假负载，连续工作2小时左右，假如MOS管散热片(TAB)不烫手，就根本上能够运用。这个办法固然粗略，但是很简单适用。

(3)mos饱和导通电阻(RDS（ON）)：当然越小越好，典型值最好小于10mQ，这个数值以从技术手册上查到。

(4)开启电压(YGS（_th））也(ye)称为“栅(zha)极阈值(zhi)(zhi)电(dian)(dian)压(ya)(ya)(ya)”，这(zhei)个数值(zhi)(zhi)的(de)(de)选择(ze)在(zai)这(zhei)里主(zhu)要(yao)与用(yong)(yong)作比拟器的(de)(de)运(yun)(yun)放有火。VMOS不像(xiang)BJT，栅(zha)极相关于(yu)(yu)源极需求有一(yi)定的(de)(de)电(dian)(dian)压(ya)(ya)(ya)才干开(kai)通(tong)(tong)，这(zhei)个电(dian)(dian)压(ya)(ya)(ya)的(de)(de)最低值(zhi)(zhi)（通(tong)(tong)常是(shi)(shi)一(yi)个范围(wei)）称为开(kai)启(qi)(qi)电(dian)(dian)压(ya)(ya)(ya)，饱和(he)导通(tong)(tong)电(dian)(dian)压(ya)(ya)(ya)普通(tong)(tong)为开(kai)启(qi)(qi)电(dian)(dian)压(ya)(ya)(ya)的(de)(de)一(yi)倍左右，假如(ru)技术手册给出(chu)的(de)(de)开(kai)启(qi)(qi)电(dian)(dian)压(ya)(ya)(ya)是(shi)(shi)一(yi)个范围(wei)，取最大值(zhi)(zhi)。VMOS的(de)(de)开(kai)启(qi)(qi)电(dian)(dian)压(ya)(ya)(ya)普通(tong)(tong)为5V左右，低开(kai)启(qi)(qi)电(dian)(dian)压(ya)(ya)(ya)的(de)(de)种类(lei)有2V左右的(de)(de)。假如(ru)采用(yong)(yong)5. 5V丁作电(dian)(dian)压(ya)(ya)(ya)的(de)(de)运(yun)(yun)放，其(qi)输出(chu)电(dian)(dian)平最大约为土2.5V，即便采用(yong)(yong)低开(kai)启(qi)(qi)电(dian)(dian)压(ya)(ya)(ya)的(de)(de)VMOS，如(ru)图2.6中的(de)(de)2SK2313，最低驱动(dong)电(dian)(dian)平也(ye)至少为土5V，因(yin)而依(yi)据上文关于(yu)(yu)运(yun)(yun)放的(de)(de)选择(ze)准(zhun)绳(sheng)，5.5V工(gong)作电(dian)(dian)压(ya)(ya)(ya)的(de)(de)运(yun)(yun)放实践(jian)上是(shi)(shi)不能用(yong)(yong)的(de)(de)，引荐(jian)的(de)(de)工(gong)作电(dian)(dian)压(ya)(ya)(ya)最低为±6V，由于(yu)(yu)运(yun)(yun)放的(de)(de)最高输出(chu)电(dian)(dian)平通(tong)(tong)常会略低于(yu)(yu)工(gong)作电(dian)(dian)压(ya)(ya)(ya)，即便是(shi)(shi)近(jin)年来开(kai)端普遍应用(yong)(yong)的(de)(de)“轨至轨”输入／输出(chu)的(de)(de)运(yun)(yun)放也(ye)是(shi)(shi)如(ru)此。

P沟道VMOS当然也能用，只是驱动办法与N沟道相反。不过，直到现在，与N沟通(tong)同一系列(lie)同电压规格(ge)的P沟通(tong)的VMOS，普(pu)通(tong)电流(liu)规格(ge)比(bi)N沟道的低，而(er)(er)(er)饱(bao)和(he)导通(tong)电压比(bi)N沟道高(gao)。因而(er)(er)(er)选N沟道而(er)(er)(er)不选P沟道。

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