天美娱乐-宝藏平台,注册畅享文化之梦!场效应管（FET）

电路中的场效(xiao)应管原(yuan)理图是什么，增(zeng)强型MOSFET特性与BJT是否相(xiang)同？

信息来源：本站　日期：2017-08-04　

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电路中的FET

FET（场效应管）的种类繁多(duo)(duo)，电路原理图(tu)的符(fu)号画法也有很多(duo)(duo)种，好(hao)在差别都不大，常用的JFET和(he)增强(qiang)型VMOS的画法如图(tu)1.33所示。

符号(hao)(hao)外(wai)面是否要带一个圆(yuan)圈，则是习惯(guan)问题，通常手(shou)绘图考(kao)虑到便利(li)性，这个圆(yuan)圈都是不画的(de)。在CAD制图逐渐流(liu)行的(de)今大，这个圆(yuan)圈出现(xian)的(de)儿(er)率也有减少的(de)趋势。需要说明的(de)是，FET电路符号(hao)(hao)中的(de)箭头并不表示电流(liu)方向，而(er)是表示电场方向。

体二极管是内置的保护二极管，防止漏极—源极被反向电压击穿，这在大功率电路中是非常常见的，这与继电器电路中常常会在继电器的线圈两端画上一个二极管的功能是一样的。多数功率MOSFET均已经内置了体二极管，而小功率的MOSFET体二极管则一般(ban)不会内置体(ti)二(er)极(ji)管(guan)，电路图中一般(ban)也不会有体(ti)二(er)极(ji)管(guan)出现(xian)。

我们已经知道JFET具有双向导电特性，即漏极与源极可以互换，这是有条件的，这个条件就是低电压、小电流，目前常用的小功率JFET的实际应用也恰恰符合这个条件。MOSFET其实也具备这个特性，但是MOSFET多为功率器件，常用于大电流、高电压条件，加之内置了体二极管，小功率MOSFET也(ye)大(da)多内(nei)置了(le)体(ti)二(er)(er)极(ji)管，这(zhei)个(ge)特性(xing)就不(bu)(bu)(bu)能(neng)用了(le)。大(da)功率的(de)(de)(de)JFET，如(ru)HEMT的(de)(de)(de)电路符号，大(da)多也(ye)是(shi)有(you)(you)体(ti)二(er)(er)极(ji)管的(de)(de)(de)。不(bu)(bu)(bu)过有(you)(you)时候(hou)二(er)(er)极(ji)管是(shi)外置的(de)(de)(de)，这(zhei)时候(hou)它的(de)(de)(de)名(ming)称(cheng)也(ye)发生了(le)改(gai)变，不(bu)(bu)(bu)叫“体(ti)：极(ji)管”而是(shi)称(cheng)为“续流(liu)二(er)(er)极(ji)管”，内(nei)置的(de)(de)(de)体(ti)二(er)(er)极(ji)管也(ye)常(chang)常(chang)会被称(cheng)为“续流(liu)二(er)(er)极(ji)管”，在功能(neng)上，它们的(de)(de)(de)作用也(ye)是(shi)一样的(de)(de)(de)。

因为漏极(ji)—源极(ji)不能反(fan)向偏置(zhi)，因此大(da)电流双向电子开关需(xu)要两个功率MOSFET来完(wan)成(cheng)，就像图1.3那样。

如果你对(dui)(dui)BJT已经(jing)比较熟悉（情况常常如此），将(jiang)FETLk作BJT可以(yi)让我(wo)们很快(kuai)理解FET的(de)(de)偏置电(dian)路，就控(kong)制(zhi)功(gong)能来说(shuo)，也是合适(shi)的(de)(de)，图1.34以(yi)JFET为例，画出了二者的(de)(de)对(dui)(dui)应关系，MOSFET与(yu)之相同。

需(xu)要注意的(de)(de)是(shi)，图(tu)中的(de)(de)对应关系是(shi)近(jin)似的(de)(de)，实际(ji)上，JFET与耗尽型(xing)(xing)MOS-FET的(de)(de)偏置(zhi)特性和BJT是(shi)相反(fan)的(de)(de)，即(ji)NPN型(xing)(xing)的(de)(de)BJT，基(ji)极(ji)(ji)与发(fa)射(she)极(ji)(ji)之(zhi)间需(xu)要正向(xiang)(xiang)偏置(zhi)（基(ji)极(ji)(ji)电(dian)(dian)(dian)压(ya)高于(yu)(yu)发(fa)射(she)极(ji)(ji)电(dian)(dian)(dian)压(ya)），N沟道的(de)(de)JFET，栅极(ji)(ji)与源极(ji)(ji)之(zhi)间需(xu)要反(fan)向(xiang)(xiang)偏置(zhi)（漏极(ji)(ji)电(dian)(dian)(dian)压(ya)低于(yu)(yu)源极(ji)(ji)电(dian)(dian)(dian)压(ya)）。增(zeng)强型(xing)(xing)M()SFET的(de)(de)偏置(zhi)特性与BJT则是(shi)相同的(de)(de)。

至于(yu)端子(zi)的英(ying)文符号是大写还是小写，也(ye)仅(jin)仅(jin)是一个使用习惯(guan)问题(ti)。对(dui)(dui)于(yu)BJT，三个端子(zi)的符号，大、小写出现的概(gai)率大致相同；对(dui)(dui)于(yu)FET，大写则(ze)是主(zhu)流。