功率MOSFET模(mo)块的(de)有助(zhu)于大(da)功率应用的(de)高效化(hua)与小型(xing)化(hua)
信息(xi)来源:本(ben)站 日期:2017-08-04
低(di)功耗趋势
封装的小型化使(shi)封装的热阻降低,功(gong)率(lv)(lv)耗散(san)(san)才(cai)(cai)能进步,相同电压电流规(gui)格或者功(gong)率(lv)(lv)规(gui)格的产品,个头(tou)小的,功(gong)率(lv)(lv)耗散(san)(san)才(cai)(cai)能更高,这似乎与我们的生(sheng)活(huo)常识有些相悖(bei),但是事实确实如(ru)此。
VMOS的(de)(de)通(tong)态(tai)功(gong)耗,业界(jie)习气于(yu)用饱和导通(tong)电阻(zu)RDS(ON)来权衡(heng),这是(shi)不太客观的(de)(de),由(you)于(yu)电流(liu)规格(ge)在很(hen)(hen)大(da)水平上影响(xiang)着RDS(ON)的(de)(de)数值,其内在缘由(you)是(shi)VMOS管的(de)(de)管芯是(shi)由(you)大(da)量管芯单元(Cell)构成的(de)(de),很(hen)(hen)显然,其他条件相同(tong)的(de)(de)情况(kuang)下,电流(liu)规格(ge)越(yue)小,RDS(ON)越(yue)大(da)。
一个相对客观(guan)的(de)(de)(de)办法是(shi)将管(guan)芯(xin)面积(ji)的(de)(de)(de)要素思索进来,将管(guan)芯(xin)面积(ji)A与RDS(ON)相乘,得到一个名为“本征电阻(zu)”的(de)(de)(de)参数以减少电流规格的(de)(de)(de)影响(图1.46)。本征电阻(zu)小,就意味着要么电流规格很高(gao),要么适用的(de)(de)(de)开关(guan)频率(lv)很高(gao)。另一方面,管(guan)芯(xin)制(zhi)程(cheng)(芯(xin)片的(de)(de)(de)设(she)计与制(zhi)造规程(cheng))的(de)(de)(de)开展使管(guan)芯(xin)单元(yuan)的(de)(de)(de)密(mi)度逐步(bu)提高(gao),也有利于管(guan)芯(xin)的(de)(de)(de)小型化。在功(gong)率(lv)半导(dao)体方面,耗(hao)散功(gong)率(lv)会限制(zhi)管(guan)芯(xin)制(zhi)程(cheng)的(de)(de)(de)进一步(bu)减小,这方面还(hai)是(shi)滞后于小功(gong)率(lv)IC的(de)(de)(de)。
除了通态(tai)功(gong)耗(hao),开(kai)(kai)关功(gong)耗(hao)(开(kai)(kai)通与关断期间(jian)的(de)(de)功(gong)耗(hao))也是(shi)影(ying)(ying)响(xiang)大功(gong)率VMOS的(de)(de)主要要素之一,特别是(shi)高频应用,请求(qiu)尤(you)为(wei)迫切。而管芯单元密度(du)的(de)(de)不(bu)时进(jin)步,会增加极(ji)间(jian)电容、散(san)布电容以及栅电荷,这些要素既影(ying)(ying)响(xiang)开(kai)(kai)关功(gong)耗(hao),义影(ying)(ying)响(xiang)开(kai)(kai)关速度(du),虽(sui)然如(ru)此(ci),这依然是(shi)当(dang)前技术开(kai)(kai)展的(de)(de)主要方面。
在普通状况(kuang)下(xia),我(wo)们很难从公开的(de)(de)技术(shu)材料中查阅到(dao)(dao)管芯的(de)(de)详细大(da)小(xiao),一个(ge)粗略的(de)(de)替(ti)代办法是,能(neng)够用(yong)产品技术(shu)手册中给出(chu)RDS(ON)和丈量这一数值(zhi)所采(cai), 用(yong)的(de)(de)漏极电流相乘,我(wo)们权(quan)且称(cheng)这个(ge)数值(zhi)为“欧(ou)安值(zhi)”。用(yong)欧(ou)安值(zhi)也能(neng)得到(dao)(dao)相似的(de)(de)结果,如图1. 47所示。
这个图形与图1. 46最大的(de)(de)(de)不同是,可以(yi)反(fan)映(ying)出(chu)开关速度存其中的(de)(de)(de)限制(zhi)因(yin)素(su),早期的(de)(de)(de)高速产品,如2SK2313,同样有比(bi)拟(ni)低的(de)(de)(de)欧(ou)安值,但是它(ta)的(de)(de)(de)封装比(bi)拟(ni)大,而且电流(liu)规(gui)格偏低。
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