结型场效应管

1.构造与符号

结型场效(xiao)应管(guan)的构造表(biao)示图及其(qi)表(biao)示符号如图2-31所示。

在图2-31(a)中，s表示Source，源极；D表示Drain，漏极；G表示Gate，栅极。在漏极和源极之间加上一个正向电压后，N型嗲电子半导体中的多数载流子(zi)（电子(zi)）便能够导(dao)电了(le)。这(zhei)种(zhong)导(dao)电沟道是N型的场(chang)效应管(guan)，称为N沟道结型场(chang)效应管(guan)。

图2-31 (b)中(zhong)的(de)(de)场效应(ying)管在P型硅(gui)棒的(de)(de)两侧制成了高掺杂(za)的(de)(de)N型区(N+)，其导电沟道(dao)为P型，多数载流(liu)子为空(kong)穴。

2．结型场效应管(guan)的特性曲线(xian)

1)转移特性曲线

转移特性曲线(xian)表达当UDS一定时，栅源(yuan)电压Ucs对漏(lou)极电流iD的控制造用(yong)，即

理论剖析和实测结果标明，iD与ucs契合平(ping)方(fang)律关系，即

式中，IDSS为(wei)(wei)饱(bao)和电流，表示(shi)UGS=o时的(de)iD值；UP为(wei)(wei)夹断电压，表示(shi)UGS=Up时iD为(wei)(wei)零(ling)。

由此可见，结型MOS场效应管转移特(te)性曲线(xian)(xian)是用来阐(chan)明在一(yi)定的(de)漏源(yuan)电压u陌时，栅(zha)源(yuan)电压UGS和漏极(ji)电流(liu)iD之间变化关系的(de)曲线(xian)(xian)。JFET的(de)转移特(te)性曲线(xian)(xian)如图2-32所示。

为(wei)(wei)了使(shi)输(shu)入(ru)阻抗大（不允(yun)许(xu)呈现(xian)栅流(liu)ic），也为(wei)(wei)了使(shi)栅源电(dian)(dian)压对(dui)沟(gou)道宽(kuan)度及漏极电(dian)(dian)流(liu)有效(xiao)地停止控制，PN结一定要反(fan)偏，因而在N沟(gou)道JFET中(zhong)，uGS必需为(wei)(wei)负值。

2、输出特性曲线

输出特性(xing)曲线表达当栅源(yuan)电压UGS，不变时，漏极电流iD与漏源(yuan)电压UDS的关系，即