利盈娱乐(中国)创新平台有限公司

低功耗趋势

封装的(de)(de)小型(xing)化使封装的(de)(de)热阻降低，功(gong)率耗(hao)散(san)(san)才能进步，相同电压电流(liu)规(gui)格(ge)或者功(gong)率规(gui)格(ge)的(de)(de)产品，个头小的(de)(de)，功(gong)率耗(hao)散(san)(san)才能更(geng)高，这似(si)乎与(yu)我(wo)们的(de)(de)生活常识有些(xie)相悖，但是事(shi)实(shi)确实(shi)如此。

VMOS的(de)(de)通态功耗，业界习气(qi)于用饱和导通电(dian)阻RDS(ON)来权衡，这是(shi)不太(tai)客观(guan)的(de)(de)，由(you)于电(dian)流(liu)规格在很大水平(ping)上影响着RDS(ON)的(de)(de)数值，其内(nei)在缘由(you)是(shi)VMOS管的(de)(de)管芯是(shi)由(you)大量管芯单元(yuan)(Cell)构成的(de)(de)，很显然，其他条件相同(tong)的(de)(de)情况下，电(dian)流(liu)规格越小，RDS（ON)越大。

一(yi)个(ge)相对(dui)客观(guan)的(de)办法是将(jiang)管(guan)芯(xin)(xin)(xin)面(mian)(mian)(mian)积的(de)要(yao)素思(si)索进来，将(jiang)管(guan)芯(xin)(xin)(xin)面(mian)(mian)(mian)积A与RDS(ON)相乘，得到一(yi)个(ge)名为“本(ben)征电阻(zu)”的(de)参数以减(jian)少电流规(gui)(gui)格(ge)的(de)影响(图1．46)。本(ben)征电阻(zu)小(xiao)(xiao)，就意味着要(yao)么电流规(gui)(gui)格(ge)很高(gao)，要(yao)么适用的(de)开(kai)关频率(lv)很高(gao)。另一(yi)方面(mian)(mian)(mian)，管(guan)芯(xin)(xin)(xin)制(zhi)(zhi)程（芯(xin)(xin)(xin)片的(de)设计与制(zhi)(zhi)造(zao)规(gui)(gui)程）的(de)开(kai)展(zhan)使(shi)管(guan)芯(xin)(xin)(xin)单元的(de)密度逐步提高(gao)，也有利于(yu)管(guan)芯(xin)(xin)(xin)的(de)小(xiao)(xiao)型化。在功率(lv)半导体方面(mian)(mian)(mian)，耗散功率(lv)会限制(zhi)(zhi)管(guan)芯(xin)(xin)(xin)制(zhi)(zhi)程的(de)进一(yi)步减(jian)小(xiao)(xiao)，这方面(mian)(mian)(mian)还是滞后于(yu)小(xiao)(xiao)功率(lv)IC的(de)。

除了通(tong)态功耗(hao)(hao)，开(kai)(kai)关功耗(hao)(hao)（开(kai)(kai)通(tong)与关断期间(jian)的(de)(de)功耗(hao)(hao)）也是影响(xiang)(xiang)大功率VMOS的(de)(de)主要(yao)要(yao)素(su)之一(yi)，特别是高频应用，请求(qiu)尤为迫切(qie)。而管芯单元(yuan)密度(du)(du)的(de)(de)不(bu)时进步，会增(zeng)加极间(jian)电(dian)容、散布电(dian)容以(yi)及栅电(dian)荷，这些要(yao)素(su)既影响(xiang)(xiang)开(kai)(kai)关功耗(hao)(hao)，义(yi)影响(xiang)(xiang)开(kai)(kai)关速度(du)(du)，虽然(ran)如此(ci)，这依然(ran)是当前技术开(kai)(kai)展的(de)(de)主要(yao)方面。

在普通状况下(xia)，我们很难从公开的(de)技(ji)术材料中查阅到(dao)(dao)管芯的(de)详细大小，一(yi)个(ge)粗(cu)略的(de)替代办法(fa)是(shi)，能(neng)够用(yong)产品技(ji)术手册(ce)中给出RDS(ON)和丈量这一(yi)数(shu)值(zhi)(zhi)所(suo)采，  用(yong)的(de)漏(lou)极电流相乘，我们权且称这个(ge)数(shu)值(zhi)(zhi)为“欧安(an)值(zhi)(zhi)”。用(yong)欧安(an)值(zhi)(zhi)也能(neng)得(de)到(dao)(dao)相似的(de)结(jie)果(guo)，如图1. 47所(suo)示。

这个图(tu)形(xing)与(yu)图(tu)1. 46最大(da)的(de)不(bu)同是，可以反映(ying)出开关速(su)度存(cun)其中的(de)限制(zhi)因素，早期的(de)高(gao)速(su)产(chan)品，如2SK2313，同样有(you)比拟低(di)的(de)欧安值，但是它的(de)封装(zhuang)比拟大(da)，而且电流规格偏低(di)。

联系方式：邹先生

联系电(dian)话：0755-83888366-8022

手(shou)机：18123972950

QQ：2880195519

联(lian)系地址：深圳(zhen)市福田区(qu)车公庙天(tian)安数(shu)码城天(tian)吉大厦(sha)CD座5C1

关(guan)注KIA半导体工程(cheng)专辑(ji)请搜微(wei)信号(hao):“KIA半导体”或(huo)点击本(ben)文下方图片扫一(yi)扫进入(ru)官方微(wei)信“关(guan)注”

长按二(er)维码(ma)识(shi)别关注