mos管模型及(ji)三(san)个小信号参数
信息来源(yuan)：本站 日(ri)期：2017-08-18
小信号等效电路
模仿电路(lu)解析包括直流解析和交流小(xiao)(xiao)(xiao)信号解析。这里导(dao)入小(xiao)(xiao)(xiao)信号解析时所需要的小(xiao)(xiao)(xiao)信号等效电路(lu)。小(xiao)(xiao)(xiao)信号等效电路(lu)模型(xing)是使计算(suan)简(jian)单化的线性模型(xing)。
三个小信(xin)号参数gm、gmb、go
如前所述，模仿电路是在MOS晶体管器件的饱和区停止工作的。饱和区中，MOS晶体管的ID-VGS特性是ID∝ (VGS_VT)2，ID与Gs之间不是线性关系。但是，如图2.1所示，在微小电压νgs与微小电流id之间能够看作线性关系近似认为id∝ νgs。
图2.2示出(chu)MOS晶体管的(de)低频小(xiao)信号等效(xiao)电路。这里运用的(de)小(xiao)信号参数gm、gmb、go定(ding)义如(ru)下（单位都是西[门子]，S）。
(1)跨导(transconductance) gm：
(2)体跨导(bulk transconductance)gmb：
(3)漏极电导(grain conductance)go：
跨导(dao)gm表示(shi)(shi)图(tu)(tu)2.1中(zhong)示(shi)(shi)出(chu)的(de)微小区域(yu)中(zhong)直(zhi)线的(de)斜率(lv)。漏极(ji)电(dian)导(dao)go表示(shi)(shi)图(tu)(tu)2.3中(zhong)示(shi)(shi)出(chu)的(de)ID-VDS特性的(de)斜率(lv)，go=1/ro（ro是输出(chu)电(dian)阻(zu)）。
