如何正确(que)理解mos管(guan)衬底偏置效应
信息(xi)来源：本(ben)站 日期：2017-08-16
图1. 33所示电路(lu)为例，剖析衬(chen)底(di)偏置效应的产生(sheng)。
由于(yu)MOS晶(jing)体管M1的源(yuan)极(ji)与基(ji)(ji)底都接地(di)，所以不发(fa)作衬(chen)底偏置效应。而M2源(yuan)极(ji)的电(dian)位VS比接地(di)的基(ji)(ji)底的电(dian)位VB=0要高(gao)，这就意味着VSB>0。其结(jie)果，M2发(fa)作基(ji)(ji)底偏置效应，使M2的阈值电(dian)压(ya)比M1高(gao)。
NMOS晶体管的阈值电压VTN、PMOS晶体管的阈值电压VTP分别由下式给出：
式中，VTO是VSB=0时（即不发牛衬底偏置效应时）的阈值电压。它的极性在NMOS中是VTO>0，关于PMOS是VTO
式中，q是电子电荷，1.6X 10-19［C］；εsi是硅的相对介电常数，εsi= 11.7；Nsub是衬底（阱）的杂质浓度。γ越大，表示衬底偏置效应越强。关于NMOS和PMOS来说，与阈值电压有关的参数的极性是不同的，表1.1列出这些参数及其极性。
上面引出了多(duo)个物理参数(shu)。不过重要的是：当源极—基底间的pn结加反向电压(ya)时，MOS晶(jing)体管的阈值电压(ya)会上升。
