常见的PWM专用IC的输出级都能够直接驱动MOS管| 也能够直接驱动VMOS管
信息来源：本站 日期：2017-08-08
工作频率和驱动信号的占空比不是很大，并且VMOS的功率规格也不是很大时，普通并不需求为VMOS配置特地的驱动电路。通用的CMOS半导体(互补金属氧化物(wu)品体管逻辑IC)、TTL（晶体管逻辑）集成电(dian)(dian)路、常见(jian)的(de)(de)PWM专用IC的(de)(de)输(shu)出级都能(neng)够(gou)直接驱(qu)(qu)(qu)动(dong)VMOS。这(zhei)种驱(qu)(qu)(qu)动(dong)方(fang)式普通适用于(yu)驱(qu)(qu)(qu)动(dong)信号的(de)(de)产生及控制电(dian)(dian)路与(yu)VMOS构(gou)成的(de)(de)功(gong)率级电(dian)(dian)路共地的(de)(de)状况。
TTL集成电(dian)(dian)路的逻辑电(dian)(dian)平为5V，输(shu)出(chu)(chu)级(ji)(ji)通常由BJT（双极性(xing)晶(jing)体管(guan)）组成，信(xin)号(hao)普通从集电(dian)(dian)极输(shu)出(chu)(chu)，这(zhei)就(jiu)是常说的“集电(dian)(dian)极开路输(shu)出(chu)(chu)”，当然，输(shu)出(chu)(chu)级(ji)(ji)也有采用MOSFET的，这(zhei)就(jiu)是“开漏输(shu)出(chu)(chu)”。上(shang)述开路输(shu)出(chu)(chu)方式需(xu)求外部电(dian)(dian)路配置偏置电(dian)(dian)阻，以树立工(gong)作(zuo)点，限(xian)定输(shu)出(chu)(chu)电(dian)(dian)流（图5．71）。
在驱动才能有限的条件下，为了减小引线寄生电感的影响，VMOS间隔控制电路越近越好。为了防止栅极电流对控制电路的影响，图中的旁路( Bypass)电容也是引荐要采刚的，普通采用聚酣、CBB、瓷片等无极性电容，容量为0.1~lμF即可。
采用TTL集成电路驱动MOS另一个需求留意的问题是，工作电(dian)压(ya)(ya)(ya)至少要高(gao)于(yu)VMOS的开启电(dian)压(ya)(ya)(ya)VGS（th），而且要保证图中A点的驱动(dong)电(dian)压(ya)(ya)(ya)高(gao)于(yu)开启电(dian)压(ya)(ya)(ya)。用CMOS来(lai)驱动(dong)根(gen)本上不需求思索这样的问题，由于(yu)此类Ic能够(gou)提供12V左右的信号电(dian)平(ping)(图5.72)。
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