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VMOS的低压、低饱(bao)和导通电阻特性的应用(yong)及理(li)论-KIA MOS管(guan)

信息来源:本站 日期(qi):2017-08-18 

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VMOS实验:工频(pin)同步整(zheng)流电路(lu)

这个电路实践上(shang)很少见,但是关于(yu)入门(men)理论却比拟适用。

VMOS之所(suo)以能成为MOSFET乃至FET的(de)应(ying)用主流,主要缘由是(shi)低(di)(di)电(dian)(dian)压规格(ge)的(de)饱和导通电(dian)(dian)阻(zu)十(shi)(shi)分低(di)(di),远低(di)(di)于二(er)极(ji)管的(de)压降,在(zai)低(di)(di)压大电(dian)(dian)流的(de)应(ying)用中具有无可比(bi)较的(de)优势,也是(shi)便携(xie)设(she)备(bei)的(de)首选(xuan),就像木书第l章(zhang)的(de)图1.3显现的(de)那样,它的(de)低(di)(di)阻(zu)特性十(shi)(shi)分有用。

VMOS的低压、低饱和导通电(dian)(dian)阻(zu)特性的主要应用有两(liang)方面,一是(shi)(shi)DC-DC开关电(dian)(dian)源,加(jia)上它的高速特性,可以大幅度进(jin)步(bu)电(dian)(dian)路效(xiao)率(lv)并减(jian)小体积;二是(shi)(shi)同步(bu)整流(liu),可以有效(xiao)进(jin)步(bu)电(dian)(dian)路效(xiao)率(lv),特别是(shi)(shi)低输出(chu)电(dian)(dian)压电(dian)(dian)路的效(xiao)率(lv)。

同步(bu)整流(liu)电(dian)路(lu)是应用有(you)源(yuan)器(qi)件来(lai)替代(dai)二(er)极管(guan),用主动伺服(fu)控制电(dian)路(lu)来(lai)控制有(you)源(yuan)器(qi)件的开关来(lai)模仿(fang)二(er)极管(guan)停止整流(liu)的电(dian)路(lu)。由于BJT、IGBT等有(you)源(yuan)器(qi)件在(zai)饱和压(ya)(ya)降方(fang)面与(yu)二(er)极管(guan)相比j1优势(shi),因而目前常说的同步(bu)整流(liu)电(dian)路(lu),简直都(dou)(dou)是基于VMOS的,在(zai)30V以(yi)内的输出电(dian)压(ya)(ya)规格的电(dian)源(yuan)中,同步(bu)整流(liu)都(dou)(dou)有(you)功耗方(fang)面的优势(shi),而且输出电(dian)压(ya)(ya)越低,这个优势(shi)越大。比拟典型的常见例子是PC。


同(tong)步整(zheng)(zheng)流(liu)电(dian)路(lu)大都用(yong)于开关(guan)电(dian)源,即高频整(zheng)(zheng)流(liu)电(dian)路(lu),鲜(xian)有(you)用(yong)于丁频电(dian)路(lu)的(de),这主(zhu)要是(shi)由于同(tong)步整(zheng)(zheng)流(liu)电(dian)路(lu)的(de)电(dian)路(lu)复杂,本钱(qian)比二极管整(zheng)(zheng)流(liu)要高得(de)多(duo)。而且,VMOS所能适用(yong)的(de)上作频率(兆赫兹级别(bie))与(yu)市电(dian)工频(50/60Hz)相比,真实是(shi)有(you)点大材小用(yong)了。


不过(guo),正是(shi)由于这个频率太低了(le),因而我(wo)们(men)才有(you)可(ke)能将电路(lu)尽量简单化,这样我(wo)们(men)就有(you)可(ke)能在入门的(de)(de)(de)时分(fen)体(ti)验到同步整流的(de)(de)(de)优势(shi)了(le)。而且,同步整流小但功(gong)耗低,整流器件的(de)(de)(de)导通电阻(zu)对外电路(lu)而言,是(shi)电源(yuan)内部的(de)(de)(de)一局(ju)部,在很多应用(yong)中,低内阻(zu)电源(yuan)也足十分(fen)有(you)用(yong)的(de)(de)(de)。

在音(yin)频应用中(zhong),为(wei)了追(zhui)求(qiu)低内阻,功放电路(lu)的电源(yuan)常(chang)常(chang)用快恢复(fu)二(er)极(ji)管(guan)和(he)肖特基二(er)极(ji)管(guan)来(lai)替代普通整(zheng)流二(er)极(ji)管(guan),前级电路(lu)则常(chang)常(chang)采用有源(yuan)伺(si)服和(he)并联稳压电路(lu)(当然还有追(zhui)求(qiu)低纹波的需求(qiu)),单从内阻指(zhi)标(biao)来(lai)看(kan),同(tong)步整(zheng)流的指(zhi)标(biao)要(yao)明显(xian)优(you)于上述方式。

mos管

为(wei)了追求电路的(de)简单化(hua),下面这个实验电路在(zai)适(shi)用化(hua)方面可(ke)能不是那(nei)么完美(图2.6),但(dan)是也足以显(xian)现同步整流(liu)的(de)优势。


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