CMOS噪(zao)声余量是由输(shu)(shu)出振幅的最小(xiao)值与(yu)输(shu)(shu)入(ru)信号最小(xiao)必要的振幅之(zhi)差来(lai)做定义
信息(xi)来源：本站 日期：2017-08-29
噪声余量
大数IC的(de)噪声余(yu)量由(you)输(shu)出振幅的(de)最(zui)小值(zhi)与(yu)输(shu)入信(xin)号最(zui)小必要的(de)振幅之差来定(ding)义(yi)。这个差值(zhi)越大，关于由(you)电(dian)源/GND线或由(you)信(xin)号线产生的(de)突(tu)发噪声来说，越不容易惹起误动作。
作为规范逻辑IC，与目前运用较多的双极型TTL相比拟，CMOS具有更宽的噪声余量。图10.13示出CMOS反相器与TTL的输入-输出传输特性。CMOS特性的降落肩特性峻峭，电路阈值电压大致位于VDD的1/2处。输出振幅能够在整个VDD～GND的范围摆动。由于CMOS可以在整个VDD～GND范围取输出，就可以以小的输入振幅工作。能够看出，与TTL相比，CMOS的噪声余量优势很大。
图10. 14示(shi)出CMOS与TTL的(de)噪声余量的(de)比拟。由(you)于CMOS的(de)抗噪声才能强，所(suo)以在高质(zhi)量信号传输、高牢靠性系统等范畴应用很(hen)普遍(bian)。
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