mos管场(chang)效应管功率规格型号有哪些？
信息来(lai)源：本站(zhan) 日期：2017-08-02
功率规格：PD、Ptot、IDR、IS
PD、Ptot的含义略有差别，有些制造商则会忽略了两者的差别。通常所说的“多少瓦”的管子就是指的PD、Ptot额定值。
PD的含义是“Under Specified Heat Conditions，Maximum Allowable Val-ue of Constant Drain Power Dissipation”（给定散热条件下，漏极允许的最大连续功耗），没有明确说明的情况下，包括VMOS管芯本身与体二极管的功耗(hao)。给定(ding)散(san)热条件只是定(ding)义了测(ce)(ce)试条件，对测(ce)(ce)试结果并无(wu)影响(xiang)。
Ptot的含义是“Total Dissipation”（总(zong)耗散(san)功(gong)率(lv)），明确表示包(bao)括了(le)体(ti)二(er)极(ji)管(guan)的功(gong)耗。
耗(hao)散功率(lv)指的(de)是晶(jing)体管自身能(neng)够消耗(hao)的(de)最大电(dian)(dian)功率(lv)，这些电(dian)(dian)功率(lv)都转化(hua)成了热(re)能(neng)，因此也可以理解为晶(jing)体管自身发散热(re)最的(de)能(neng)力。
如果一份技术文档明确指出PD只是管芯的功率耗散能力，那么Ptot就约等于PDX2。这是因为(wei)VMOS管芯本身(shen)与体二极管的功率耗散能(neng)力几乎是一(yi)样(yang)的。
一般情况下，如果制造商分别给出了VMOS管芯与体二极管的耗散功率，这时候的VMOS多半是采用了与肖特基二极管相当的体二极管，如SiC体二极管，这样的体二极管的自身功耗小，功率耗散能力也相对要小一些。如果是低速应用，就要适当地降低PD，因(yin)为(wei)低速情况下高速体(ti)二(er)极管的优势是难以体(ti)
现的。
PD是容易让入门者误解的数据，不少入门者会误认为这是：VMOS的功率输出能力。当然，VMOS要输出功率，PD也是必(bi)需的，尽管如此，二者并没(mei)有(you)必(bi)然的联系。
技术手册中给出的是PD的最大值，如果把VMOS看作一个人，PD就可以视为一(yi)个(ge)(ge)人的饭(fan)(fan)量，这(zhei)个(ge)(ge)人的力气就好比是功率输(shu)出能力。尽管人力上的饭(fan)(fan)量一(yi)般都很大，但是饭(fan)(fan)量大的人可不(bu)一(yi)定是人力土。
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