场效应管有哪些特点及主要用途？

场效(xiao)应管由于具(ju)有输入阻抗非常高（可达(da)l09～lO15Ω）、噪声低、动态变(bian)化范围大和温度系数小(xiao)，且为电压控制元件(jian)等(deng)优点，因

此(ci)应(ying)用(yong)也较为广(guang)泛。

场效应管分结型和绝(jue)缘栅(即MOS)型两大类。

(1)场(chang)效应管的图(tu)形和文字符号及外形(见图(tu)3-8)

其中，图3-8(a)为N沟道绝缘栅增强型晶体管图形和文字符号；图3-8 (b)为N沟道绝缘栅耗尽型晶体管图形和文字符号；图3-8(c)为N沟道结型晶体管图形和文字符号；图3-8 (d)为P沟道结型晶体管图形和文字符号；图3-8(e)一(g)为场效应晶体管的外形；图3-8(h)~(k)为场效应晶体管的管脚。

(2)场效应(ying)管(guan)的特点及用途

常用场效应管(guan)的特(te)点及(ji)主要用途见表3-8。

场效(xiao)应管有哪些基本参数？

(1)场效应管的基本参数

①夹断电压UP  也称截(jie)止(zhi)栅压UGS(OFF)，是在(zai)耗尽(jin)型(xing)(xing)(xing)(xing)结型(xing)(xing)(xing)(xing)场效(xiao)应(ying)管或耗尽(jin)型(xing)(xing)(xing)(xing)绝缘(yuan)栅型(xing)(xing)(xing)(xing)场效(xiao)应(ying)管源极(ji)接地的情况下，能使其(qi)漏源

输出电流减小到零时所(suo)需的栅源(yuan)电压UGS。

②开启(qi)电(dian)压(ya)UT  也称(cheng)阀电(dian)压(ya)，是增(zeng)强型绝缘(yuan)栅(zha)型场效应管在漏源电(dian)压(ya)UDS为(wei)一(yi)定(ding)值时，能使(shi)其漏、源极开始导通的最(zui)小栅(zha)源电(dian)压(ya)UGS。

③饱和漏电(dian)(dian)(dian)流IDSS  是耗尽型场效(xiao)应管在(zai)零偏压（即栅源电(dian)(dian)(dian)压UGS为(wei)零）、漏源电(dian)(dian)(dian)压UDS大于(yu)夹断电(dian)(dian)(dian)压Up时的(de)漏极电(dian)(dian)(dian)流。

④击穿(chuan)电(dian)压(ya)BUDS和BUGS

a．漏(lou)源击穿电(dian)压(ya)BUDS。也称漏(lou)源耐(nai)压(ya)值，是当场效应管的漏(lou)源电(dian)压(ya)UDS增大到一定数值时，使(shi)漏(lou)极(ji)电(dian)流(liu)ID突然增大且不受栅极(ji)电(dian)压(ya)控制时的最大漏(lou)源电(dian)压(ya)。

b．栅源击穿电(dian)压(ya)BUGS。是场效应管的栅、源极之间能(neng)承受的最(zui)大(da)上作电(dian)压(ya)。

⑤耗散功率PD  也称(cheng)漏(lou)(lou)极耗散功率，该值约等于漏(lou)(lou)源电压UDS与(yu)漏(lou)(lou)极电流(liu)ID的(de)乘积。

⑥漏泄电(dian)流(liu)IGSS  是场(chang)效应(ying)管的(de)栅—沟道结施加反向(xiang)(xiang)偏(pian)压时产生(sheng)的(de)反向(xiang)(xiang)电(dian)流(liu)。

⑦直流输入电(dian)阻RGS  也称栅源绝缘电(dian)阻，是场效应(ying)管栅—沟道在反(fan)偏电(dian)压作(zuo)用(yong)下的电(dian)阻值，约等于栅源电(dian)压UGS与(yu)栅极电(dian)流的

比值。

⑧漏源动态电(dian)阻RDS  是漏源电(dian)压UDS的变(bian)化(hua)(hua)量与(yu)漏极电(dian)流ID的变(bian)化(hua)(hua)量之比(bi)，一(yi)般(ban)为数千欧以上。

⑨低(di)频跨导gm  也(ye)称放(fang)大特性，是栅极(ji)电(dian)压UG对漏极(ji)电(dian)流(liu)(liu)ID的(de)控制能力，类似于三极(ji)管(guan)的(de)电(dian)流(liu)(liu)放(fang)大倍数β值。

⑩极(ji)间电(dian)(dian)容(rong)  是(shi)场效应管(guan)各极(ji)之间分(fen)布电(dian)(dian)容(rong)形成的(de)杂散电(dian)(dian)容(rong)。栅(zha)(zha)源极(ji)电(dian)(dian)容(rong)（输(shu)入(ru)电(dian)(dian)容(rong)）CGS和栅(zha)(zha)漏极(ji)电(dian)(dian)容(rong)cGD的(de)电(dian)(dian)容(rong)量为(wei)1~

3pF，漏源极电容(rong)CDS的(de)电容(rong)量为(wei)0.1~1pF。

(2)常用场效应管的主要参数

部(bu)分结型(xing)(xing)场(chang)效应(ying)晶体管(guan)的主要参(can)数(shu)见(jian)表(biao)(biao)3-9。部(bu)分N沟道耗尽型(xing)(xing)MOS场(chang)效应(ying)晶体管(guan)的主要参(can)数(shu)见(jian)表(biao)(biao)3-10。部(bu)分增(zeng)强型(xing)(xing)MOS场(chang)

效应晶体管的主要参数见表3-11。

使用场效应管时有哪些注意事项？

场效应管(guan)较三极(ji)管(guan)娇(jiao)弱，使用(yong)不当很容易损坏，因此使用(yong)时应特别(bie)注(zhu)意(yi)以下事项。

①应(ying)(ying)根(gen)据(ju)不同的(de)使用(yong)场(chang)(chang)合选用(yong)适当型号的(de)场(chang)(chang)效应(ying)(ying)管。常用(yong)场(chang)(chang)效应(ying)(ying)管的(de)主(zhu)要用(yong)途见表3-8。

②场效应(ying)管(guan)，尤其是绝缘(yuan)栅(zha)场效应(ying)管(guan)，输人阻(zu)抗非常高，不用时应(ying)将(jiang)各(ge)电(dian)极短接，以(yi)免栅(zha)极感应(ying)电(dian)荷而损坏管(guan)子。

③结(jie)型场效应管的栅源电压不(bu)能接反，但(dan)可在开路状态下保(bao)存。

④为(wei)了(le)保(bao)持场效应(ying)(ying)管的高输入阻抗，管子应(ying)(ying)注意防潮，使用环(huan)境应(ying)(ying)干(gan)燥。

⑤带电(dian)(dian)物体(ti)（如电(dian)(dian)烙铁、测试仪表）与场效应(ying)管(guan)(guan)接(jie)(jie)触(chu)时(shi)(shi)，均需接(jie)(jie)地，以免损(sun)坏管(guan)(guan)子。特别是(shi)焊接(jie)(jie)绝(jue)缘栅场效应(ying)管(guan)(guan)时(shi)(shi)，还要按源极—栅极的先(xian)后次序焊接(jie)(jie)，最好断电(dian)(dian)后再(zai)焊接(jie)(jie)。电(dian)(dian)烙铁功率以15~30W为宜，一次焊接(jie)(jie)时(shi)(shi)间(jian)不(bu)应(ying)超过10s。

⑥绝缘(yuan)栅(zha)场效应(ying)管切(qie)不可用(yong)万用(yong)表测(ce)试(shi)(shi)，只能(neng)用(yong)测(ce)试(shi)(shi)仪测(ce)试(shi)(shi)，而(er)且要在接入测(ce)试(shi)(shi)仪后，才能(neng)去掉各(ge)电极短(duan)路接线。取(qu)下时，则应(ying)先短(duan)路各(ge)电极后再取(qu)下，要避免栅(zha)极悬空。

⑦使用带有衬底引线(xian)的场效应管时，其衬底引线(xian)应正确连接。

场效应管时间继电器是怎样工作的？

场效应管(guan)具有(you)极高的(de)输入阻(zu)抗，导通时(shi)从电(dian)源输入的(de)电(dian)流几乎可以忽略。因此允许(xu)采用(yong)很大的(de)充电(dian)电(dian)阻(zu)，有(you)利于比延时(shi)的(de)提高。

(1)电路一

JSB-1型时间继电(dian)器电(dian)路如图(tu)3-9所(suo)示。它采用3C01型场效应管（P沟道增(zeng)强型）作比较(jiao)环节(jie)。该(gai)定时器最大(da)延时可达5min，

比延时(shi)可达5s/μF，延时(shi)误差(cha)<±5%。

工作原理：接通电源时，由于电容C3两端电压为零，场效应管VT处于截止状态，继电器KA释放，延时开始。同时电源E通过电阻R2、继电器KA线圈向电容C3充电，电容上的电压逐渐升高，场效应管VT的栅源电压UGS越来越负，栅—漏极电流IGD就越来越大。当IGD大到晶闸管V所需的触发电流时，V触发导通，继电器KA得电吸合，输出延时信号。

图(tu)中(zhong)，二极管(guan)VD的(de)(de)作用是(shi)提供电容C3一条快速放电回路(R3、R4、VD、C3); R1、C1及C2的(de)(de)作用是(shi)防止晶闸管(guan)V误触发；并联在(zai)电阻值(zhi)(zhi)较大的(de)(de)继电器KA线圈上的(de)(de)低阻值(zhi)(zhi)电阻R5，用以提供延(yan)时电路足够(gou)的(de)(de)电压与(yu)电流。

(2)电路二

JS-20型时间继(ji)电器电路如图(tu)3-10所示(shi)。

工作原理：当继电器KA1吸合时（图中，KA1控制部分未画出），接通电源，由于电容Cl两端电压为零，场效应管VT1的栅源电压UGS=UC-US＝-US大于其夹断电压UP，因此VT1截止，三极管VT2无基极电流而截止，晶闸管V关闭，继电器KA2处于释放状态，延时开始。同时电源电压E通过电阻R8、R2向电容C1充电。Cl上电压Uc逐渐升高，当达到UGS

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