cmos在电路中容易形成集成化 它是(shi)有什么特点 是(shi)否会受到影响
信(xin)息来源：本(ben)站 日期：2017-09-05
容易集成化(hua)
TTL等(deng)双极器件(jian)中(zhong)，如图10. 15所示，相邻(lin)的晶(jing)体管之间需求隔离，而且要提(ti)高(gao)电流驱动(dong)型(xing)器件(jian)的集成度(du)，就很难抑(yi)止(zhi)功率耗(hao)费和发(fa)热现象。
CMOS中(zhong)，由于闩锁现(xian)象(xiang)／可控(kong)硅现(xian)象(xiang)的(de)缘由，需(xu)求思(si)索(suo)设置恰当的(de)别(bie)离寄生双极晶体管(guan)的(de)称为防(fang)护带(dai)（图10. 16）的(de)别(bie)离墙／过渡电流吸收带(dai)。不(bu)过对(dui)集(ji)成度(du)的(de)影响不(bu)大。最近，还开发(fa)出不(bu)需(xu)求防(fang)护带(dai)的(de)制造技术。而(er)且，由于CMOS的(de)低(di)功耗(hao)特性(xing)，在发(fa)热问题上比双极器件优越(yue)，也(ye)有利于集(ji)成化(hua)。
把单位面积(mm2)上集(ji)成(cheng)的晶(jing)体(ti)管数(shu)目(mu)叫做集(ji)成(cheng)度(du)。目(mu)前集(ji)成(cheng)度(du)超越了1000万个(ge)MOS晶(jing)体(ti)管的系统(tong)LSI曾经在数(shu)字设备中采(cai)用。
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