认识电路中(zhong)的(de)VMOS，辨别(bie)引脚符号(hao)
信息来源：本站 日期：2017-07-26
认(ren)识电路中的VMOS
日前我们所能见到的场效应管，多半是广义上的VMOS，即垂直沟道功率MOSFET。小功(gong)率的(de)(de)场效应管并不常见(jian)(jian)，JFET和(he)MOSFET则兼而有之，如(ru)果玩1970~1980年间的(de)(de)收音头和(he)音频(pin)功(gong)放，见(jian)(jian)到(dao)它们的(de)(de)机会就多一(yi)些。在更占老的(de)(de)机器里，也许还(hai)能(neng)见(jian)(jian)到(dao)VFET，在固态射(she)(she)频(pin)发射(she)(she)机里，LDMOS和(he)HEMT也能(neng)够见(jian)(jian)到(dao)，只(zhi)是(shi)这(zhei)样的(de)(de)机会是(shi)少(shao)而又少(shao)。
除了小型封装的VMOS场以外，多数MOS场效应管单(dan)管(guan)的(de)引脚(jiao)排列(lie)顺序是一(yi)样的(de)（图2.1），极(ji)少有例外。让VMOS的(de)引脚(jiao)向下(xia)，使有字的(de)一(yi)面朝向自己(ji)，那么从左至右(you)就是G（栅极(ji)）、D(漏极(ji))、S(源极(ji))，TAB表示散热(re)片，与漏极(ji)相通。小型(xing)封(feng)装(zhuang)、多管(guan)封(feng)装(zhuang)等(deng)则需要查阅器件的(de)技术(shu)手(shou)册，没(mei)有统一(yi)规(gui)律可(ke)循。
VMOS模(mo)块(kuai)是最为常(chang)见的(de)(de)(de)场(chang)效应管(guan)模(mo)块(kuai)，塑(su)料(liao)外(wai)壳(qiao)上一(yi)般有引(yin)脚(jiao)(jiao)(jiao)定义的(de)(de)(de)标(biao)(biao)识。引(yin)脚(jiao)(jiao)(jiao)标(biao)(biao)识无外(wai)乎两种方法：一(yi)种是直(zhi)接在引(yin)脚(jiao)(jiao)(jiao)附近用(yong)宁(ning)母标(biao)(biao)识，如G、D、S、SID2（两管(guan)的(de)(de)(de)公共端(duan)）等；另一(yi)种足引(yin)脚(jiao)(jiao)(jiao)用(yong)阿拉伯数字标(biao)(biao)识，在模(mo)块(kuai)的(de)(de)(de)侧面有内部(bu)的(de)(de)(de)等效电路原理图和引(yin)脚(jiao)(jiao)(jiao)编(bian)号。另外(wai)，模(mo)块(kuai)上主电极(ji)与副电极(ji)从外(wai)形上也 是比(bi)较(jiao)容易区分的(de)(de)(de)，因为它们的(de)(de)(de)大小、形状(zhuang)的(de)(de)(de)差异非(fei)常(chang)明显（图2.2）
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