N沟(gou)道(dao)和(he)P沟(gou)道(dao)MOSFET哪个(ge)(ge)常用?MOS耗尽型的哪个(ge)(ge)常用
信息来(lai)源：本站 日期：2017-07-26
耗尽型MOSFET( Depletion Mode MOSFET)与增强型MOSFET有着同(tong)样的栅极结(jie)构，所不(bu)同(tong)是(shi)，在常(chang)态(tai)下，它内部的（导电(dian)）沟道(dao)是(shi)天生的。换言之，常(chang)态(tai)下的耗尽型MOSFET是(shi)导通的，这一点与JFET相同(tong)，所不(bu)同(tong)的是(shi)二(er)者的栅极结(jie)构。
耗尽(jin)型MOSFET也有(you)(you)N沟(gou)(gou)道(dao)(dao)与P沟(gou)(gou)道(dao)(dao)两(liang)种，以(yi)P沟(gou)(gou)道(dao)(dao)较为常见。横向(xiang)沟(gou)(gou)道(dao)(dao)的(de)耗尽(jin)型MOSFET的(de)结(jie)构简图(tu)如图(tu)1.22所示，也有(you)(you)垂(chui)直(zhi)沟(gou)(gou)道(dao)(dao)的(de)产品。P沟(gou)(gou)道(dao)(dao)的(de)只需要将结(jie)构图(tu)中(zhong)的(de)“P"与“N”对调即可。
目前市场上只能见到小(xiao)功率耗尽(jin)型MOSFET产品(pin)，电压规(gui)格为500V左右(you)，比(bi)JFET要(yao)高得多
关注(zhu)KIA半导(dao)体工程专辑(ji)请(qing)搜微(wei)信号:“KIA半导(dao)体”或点(dian)击本文下方图(tu)片扫一(yi)扫进入官(guan)方微(wei)信“关注(zhu)”
长按二维码识(shi)别(bie)关注
